MASTAR (Model for Analog and Digital Simulation of MOS Transistors) – obliczeniowy model tranzystora MOSFET MOS. Został opracowany przy zastosowaniu metody VDT (ang. Voltage Doping Transformation). Cechą modelu MASTAR jest dobra dokładność oraz ciągłość charakterystyki I-V wraz z pochodnymi we wszystkich zakresach polaryzacji. Model został zaimplementowany w niektórych programach wspomagających projektowanie układów elektronicznych, lecz nie jest tak rozpowszechniony jak modele EKV, HiSIM, PSP, BSIM. Jest stosowany przez komitet ITRS (ang. International Technology Roadmap for Semiconductors) do opracowania prognoz rozwoju konstrukcji tranzystorów MOS.
Zobacz też model EKV tranzystora MOSFET
Przypisy
Linki zewnętrzne
Główna strona modelu EKV
Główna strona modeli BSIM3,BSIM4
Kategoria:Tranzystory