Gdy napięcie bramka – źródło (UGS) jest równe zero, wówczas nośniki większościowe płyną bez przeszkód – prąd dla danego napięcia dren – źródło (UDS) osiąga wartość maksymalną oznaczaną symbolem IDSS. Gdy natomiast napięcie bramka – źródło zacznie rosnąć (a dokładniej jego wartość bezwzględna), wówczas w złączu p-n, które jest spolaryzowane zaporowo pojawi się obszar ładunku przestrzennego (obszar zubożony). Obszar ten wnika w kanał, a że praktycznie nie ma w nim swobodnych nośników (charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją), czynny przekrój kanału maleje. Efektem jest zwiększenie rezystancji kanału, a więc ograniczenie prądu dren – źródło.
thumb|left|Uproszczona budowa tranzystora z kanałem typu n oraz ilustracja zmiany przekroju czynnego kanału
Gdy napięcie bramka – źródło osiągnie charakterystyczną dla danego tranzystora maksymalną wartość UGSOFF, kanał praktycznie zatyka się – prąd dren – źródło jest bardzo mały, rzędu 1–10 mikroamperów, tranzystor nie przewodzi.
Prąd drenu jest funkcją napięcia bramka – źródło i jego zmiana następuje na skutek zmian pola elektrycznego, co nazywane jest efektem polowym;