W modułach AESA stosuje się różne technologie półprzewodnikowe. Oprócz arsenku galu (GaAs) w nowszych konstrukcjach wykorzystuje się azotek galu (GaN), przede wszystkim w elementach pracujących z dużą mocą, takich jak wzmacniacze nadajników. GaN charakteryzuje się dużym napięciem przebicia i umożliwia uzyskiwanie dużej mocy wyjściowej oraz wysokiej sprawności, co jest szczególnie istotne w antenach zawierających setki lub tysiące kanałów T/R. Nie oznacza to całkowitego zastępowania GaAs przez GaN: w jednym torze mogą być łączone układy wykonane w różnych technologiach, np. GaN w stopniu dużej mocy, GaAs w układach niskoszumowych oraz krzemowe układy sterujące formowaniem wiązki.

Pojedynczy element antenowy emituje falę w stosunkowo szerokim zakresie kątów i zwykle nie zmienia mechanicznie swojego kierunku. W wybranym kierunku fale z wielu elementów przebywają nieco różne drogi. Komputer kompensuje te różnice, nadając kolejnym torom odpowiednie przesunięcia fazy albo opóźnienia czasowe. W zamierzonym kierunku fale docierają zgodnie w fazie i wzajemnie się wzmacniają, a w innych kierunkach częściowo się wygaszają.