Względna zmiana rezystancji zależy od kąta między kierunkiem namagnesowania, a kierunkiem wektora gęstości prądu J.
gdzie: – współczynnik magnetorezystywności, – kąt między wektorem gęstości prądu a kierunkiem wektora namagnesowania.
Kierunek wektora namagnesowania M jest funkcją zewnętrznego pola magnetycznego
gdzie: – składowa pola prostopadła do osi paska, – składowa pola wzdłuż osi paska, – pole anizotropii – pole anizotropii materiału warstwy, – grubość warstwy, – szerokość paska, – magnetyzacja.
Przy = 45° oraz spełnieniu warunku < ( + ) uzyskuje się liniową zależność względnej zmiany rezystancji od zewnętrznego pola .
Rodzaje magnetorezystorów Magnetorezystory AMR Barber-pole mały|268x268px|Schemat czujnika AMR Barber-pole mały|Charakterystyka przetwarzania czujnika AMR Wykorzystują efekt anizotropowej magnetorezystancji. Charakter zmian rezystancji elementu w funkcji pola zależy od kąta, jaki tworzy kierunek prądu względem tzw. osi anizotropii magnetycznej (osi łatwego magnesowania, która indukuje się w cienkiej warstwie w trakcie procesu technologicznego). Ponieważ orientacja pasków to 45°, uzyskuje się w przybliżeniu liniową charakterystykę czujnika.