Czujniki AMR dzięki licznym zastosowaniom w informatyce, automatyce i miernictwie utorowały drogę do zastosowań innych, odkrytych później efektów magnetooporowych charakteryzujących się wyższymi wartościami ΔR/R lub wyższymi czułościami polowymi tego efektu (znacznymi zmianami magnetooporu w jednostkowym polu magnetycznym).
Oznaczenia: DF – gęstość stanów na poziomie Fermiego, ρII – opór właściwy dla prądu płynącego zgodnie z kierunkiem namagnesowania, ρ┴ – opór właściwy dla kierunku prądu prostopadłego do kierunku namagnesowania, – wektor gęstości prądu, – wersor w kierunku momentu magnetycznego, ρH – anomalna stała Halla.
Bibliografia S. Tumański, Cienkowarstwowe czujniki magnetorezystancyjne, Oficyna Wydawnicza Politechniki Warszawskiej, Warszawa 1997. Ł. Śrama, Stanowisko do ćwiczenia laboratoryjnego nt. „Gigantyczny magnetoopór w układach warstwowych”, praca magisterska, Poznań 2003. S. Tumański, Thin Film Magnetoresistive Sensors, Institute of Physics Publishing, Bristol 2001. I.A. Campbell, A. Fert i O. Jaoul, J. Phys. C Vol. 3, S95 (1970). T.R. McGuire i R.I. Potter, IEEE Trans. on Magn. Vol. MAG-11 (1975). D.A. Thompson, L.T. Romankiw i A.F. Mayadas, IEEE Trans. on Magn. Vol. MAG-11 (1975). P. Wiśniewski, Appl. Phys. Lett. Vol. 90, p. 192106 (2007) http://dx.doi.org/10.1063/1.2737904.
Kategoria:Spintronika