Dioda Gunna – półprzewodnikowy lub próżniowy rodzaj diody mikrofalowej przeznaczony do pracy w zakresie częstotliwości mikrofalowych od wartości pojedynczych gigaherców do pojedynczych teraherców. W 1963 roku John Battiscombe Gunn (J.B. Gunn) jako pierwszy zauważył, że w płytkach z arsenku galu niewielkiej grubości, po dostarczeniu im wystarczająco dużego napięcia generowane są bardzo wysokie częstotliwości drgań.
Elementy te zazwyczaj są wykonane z arsenku galu (GaAs), a ich maksymalna częstotliwość pracy wynosi około 200 GHz. Natomiast diody Gunna wykonane z azotku galu (GaN) zostały przystosowane wynieść do 3 THz. Diody mikrofalowe są zwykle używane jako substytut diod germanowych, gdy wymagane jest niskie napięcie progowe Up (rzędu 0.3-0.4V). Diody Gunna mają bardzo krótkie czasy przełączania ze względu na ich budowę i zasadę działania.
Na co dzień diody Gunna wykorzystywane są: w elektronice bardzo wysokich częstotliwości jako element je generujący, w technice mikrofalowej jako m.in. detektory, przekaźniki lub radary