W skrócie SOI (z ang. krzem na izolatorze) - czyli podłoże półprzewodnikowe które jest zbudowane z warstwy krzemu na warstwie dielektryka. Podłoża tego typu charakteryzują się między innymi:
niższą pojemnością pasożytniczą; odpornością na tzw. latch-up dzięki całkowitej izolacji struktur typu p i n. Lath-up to rodzaj zwarcia występujący w układach scalonych, kiedy między kontaktami tranzystora pojawia się obszar o obniżonej rezystancji. zmniejszoną zależnością działania od temperatury (brak domieszkowania) większą wydajnością dzięki większemu upakowaniu (lepsze wykorzystanie podłoża) możliwością znacznego podwyższenia częstotliwości pracy układu elektronicznego mniejszą podatnością na promieniowanie w przeciwieństwie do układów opartych np. na konstrukcji CMOS obniżeniem poboru mocy przy jednoczesnym zachowaniu obecnego procesu technologicznego tym, że fabryki chcące skorzystać z SOI nie muszą dokonywać znaczącej wymiany wykorzystywanych narzędzi wytwarzania własnej mikroelektroniki.
Wadą SOI są koszty zwiększone nawet do około 20% w związku ze zwiększonymi wymogami dotyczącymi substratów.
Technologia została opatentowana przez International Business Machine (IBM) oraz Soitec.