Głównym czynnikiem wydłużającym czas przełączania jest obecność pojemności bramki, którą trzeba przeładować przy przełączaniu.
Symbole graficzne z kanałem zubożanym z kanałem wzbogacanym Plik:Mosfet-zp.svg Plik:Mosfet-zn.svg Plik:Mosfet-wp.svg Plik:Mosfet-wn.svg z kanałem typu P z kanałem typu N z kanałem typu P z kanałem typu N
Zasada działania Tranzystor MOS polaryzuje się tak, żeby jeden rodzaj nośników (nie ma nośników większościowych i mniejszościowych – elektrony w kanale typu N, dziury w kanale typu P) płynął od źródła do drenu.
Wyróżnia się dwa zakresy pracy: zakres nienasycenia (liniowy, triodowy), zakres nasycenia (pentodowy).
Zakres pracy tranzystora determinuje napięcie dren-źródło – jeśli jest ono większe od napięcia nasycenia wówczas tranzystor znajduje się w zakresie nasycenia.
Zakres nienasycenia
Jeśli napięcie bramka-źródło jest mniejsze od napięcia progowego (tworzenia kanału) to prąd dren-źródło jest zerowy. Gdy napięcie progowe zostanie przekroczone wówczas na skutek działania pola elektrycznego przy powierzchni półprzewodnika powstaje warstwa inwersyjna – warstwa półprzewodnika o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże. Warstwa inwersyjna ma więc taki sam typ przewodnictwa jak obszary drenu i źródła, możliwy jest więc przepływ prądu od drenu do źródła.