+ Przedziały poziomów napięć H i L I/O stan wysoki (H) stan niski (L) wejście większe niż 2 V od 0.8 V wyjście powyżej 2.4 V poniżej 0.4 V
Układy logiczne typu C- MOS
Układy scalone typu C- MOS (ang. complementar metal oxid- Silicium) są zbudowane na tranzystorach polowych wykonanych techniką MOS (ang. metal oxid semiconductor), których podstawową cechą jest bardzo duża rezystancja wejściowa. Symbol C oznacza, że bramki wykonane są techniką komplementarną, tzn. zawierają co najmniej dwa połączone szeregowe tranzystory, z których jeden jest z kanałem typu p, a drugi z kanałem typu n. Można stwierdzić, że obydwa tranzystory pracują dwustanowo przyjmując na przemian przeciwne stany pracy. Napięcie zasilania układów typu C- MOS mieści się w przedziale 5 ÷ 15 V, przy czym 15 V nie powinno być z zasady przekraczane. Pobór mocy przy technice MOS jest minimalny i mierzy się go w μW.
Kategoria:Elektronika cyfrowa Kategoria:Układy scalone