thumb|300px|Wnętrze tranzystora BF505 Tranzystor mesa – bipolarny tranzystor wielkiej częstotliwości wytwarzany metodą wielokrotnej dyfuzji. Obecnie ma już znaczenie wyłącznie historyczne. Nazwa tranzystora pochodzi od hiszpańskiego słowa (stół).
Dyfuzję domieszek z fazy stałej i gazowej opracowano w Laboratoriach Bella, odpowiednio w 1950 i 1954 rokuB. Lojek, History of semiconductors diffusion engineering, 10th IEEE International Conference of Advanced Thermal Processing of Semiconductors RTP 2002. Już w roku 1954 w tej samej firmie skonstruowano tranzystor germanowy, w którym zarówno bazę, jak i emiter wytworzono metodą dyfuzji. Pierwsze krzemowe tranzystory mesa wyprodukował Texas Instruments w roku 1957.
Wytwarzanie W tranzystorach mesa płytka półprzewodnika stanowi kolektor, a bazę wytwarza się, wykorzystując dyfuzję domieszki. W tak wytworzonej bazie powtórnie przeprowadza się dyfuzję, wytwarzając złącze emitera. Następnie wytrawia się płytkę, pozostawiając jedynie centralną część tak wytworzonej struktury.