Stało się to dzięki rozwojowi techniki mikroprocesorowej oraz półprzewodnikowych przyrządów mocy.
Dla rozwoju samych przekształtników największe znaczenie miało wynalezienie półprzewodnikowych elementów mocy – a w tym głównie tranzystora IGBT, który łączy w sobie zalety dynamiki tranzystora bipolarnego oraz napięciowe sterowanie tranzystora MOS, przy czym napięcie na tranzystorze IGBT ma wartość stałą (kilka V), co daje mniejsze straty łączeniowe niż w przypadku tranzystorów MOS. Tranzystory IGBT mogą pracować przy częstotliwości rzędu dziesiątek kHz. Dzięki temu można znacznie zmniejszyć gabaryty transformatorów stosowanych w przekształtnikach, zmniejszyć straty łączeniowe, a także ustawić częstotliwość łączeń powyżej pasma akustycznego dla uniknięcia kłopotliwych i nieprzyjaznych dźwięków towarzyszących pracy dawniej budowanych układów.