Wszystkie rzeczywiste kryształy wykazują istnienie wakansów, których pojawianie się jest indukowane termicznie. Istnienie tych defektów umożliwia działanie wakansowego mechanizmu dyfuzji, decydującego o ruchliwości atomów własnych oraz obcych (domieszki) w sieci krystalicznej rozpuszczalnika. Atom może zmienić pozycję tylko wtedy, gdy w sąsiedniej pozycji węzłowej znajduje się wakans. Atom otaczający wakanse pokonuje barierę potencjału związaną z lokalną deformacją sieci. Efektem jest przeskok na miejsce wakansu, a w konsekwencji pojawienie się wakansu w poprzedniej pozycji atomu. Dyfuzja tym mechanizmem nie jest możliwa w krysztale doskonałym.
Termodynamika mechanizmu thumb|380px|Rys. 1. Poglądowy schemat dyfuzji mechanizmem wakansowym w materiałach o sieci regularnej przestrzennie centrowanej A2.__ – atomy węzłowe__ – wakans Częstotliwość pokonywania bariery potencjału jest aktywowana termicznie, opisuje ją równanie Arrheniusa:
gdzie: – częstotliwość prób przeskoku atomu (częstotliwość Debye’a) [1/s], – bariera potencjału związana z lokalną deformacją sieci [J], – stała Boltzmanna [J/K], – temperatura bezwzględna [K].