Wynikowy symbol przypomina więc bardzo tranzystor bipolarny, z dodatkową linią i pustą przestrzenią w obrębie bazy/bramki.
Schemat zastępczy tranzystora IGBT przypomina układ Darlingtona (prawa strona rysunku), zbudowany z tranzystorów MOSFET-n oraz bipolarnego PNP, w której emiter PNP oznaczony jest jako kolektor IGBT, połączenie bazy tranzystora typu PNP i drenu tranzystora typu MOSFET nie jest wyprowadzone, połączenie źródła tranzystora typu MOSFET z kolektorem tranzystora typu PNP nosi nazwę emitera tranzystora typu IGBT.
Zasada działania tranzystora IGBT Tranzystor MOSFET steruje bazą tranzystora bipolarnego, zapewniając szybkie przechodzenie od stanu blokowania do przewodzenia i na odwrót. Jednakże w odróżnieniu od bipolarnego tranzystora Darlingtona, w tranzystorze IGBT największa część prądu drenu płynie przez kanał tranzystora MOSFET. Stan blokowania IGBT występuje gdy napięcie między bramką a źródłem jest niższe od wartości progowej Ugs(th), wielkości znanej z tranzystora MOSFET. Dołączone napięcie dren-źródło powoduje przepływ bardzo małego prądu upływu.
Jeśli napięcie bramka-źródło przekroczy wartość progową Ugs(th) tranzystora MOSFET struktury IGBT to zaczyna on przewodzić – płynie prąd drenu określony napięciem kolektor-emiter oraz wartością napięcia sterującego Uge.
Kategoria:Tranzystory Kategoria:Energoelektronika Kategoria:Przyrządy półprzewodnikowe