Naświetlanie Podczas naświetlania zachodzi w fotorezyście reakcja powodujące zmianę jego rozpuszczalności w wywoływaczu. W przypadku fotorezystów pozytywowych zachodzi rozkład inhibitora co zwiększa rozpuszczalność naświetlonych obszarów. W fotorezystach negatywowych pod wpływem naświetlania zachodzi sieciowanie polimeru i jego rozpuszczalność w wywoływaczu maleje. Sieciowanie fotorezystów negatywowych jest także powodem większych trudności w ich usuwaniu po skończonej obróbce płytki.
Do naświetlania fotorezystów stosuje się światło nadfioletoweW przypadku rezystów elektronoczułych stosuje się napromieniowanie wiązką elektronów.. W klasycznej fotolitografii stosuje się naświetlanie przez fotomaski, ale istnieją także metody bezmaskowe jak np. litografia laserowa. Dawka naświetlania powinna być ustalona między innymi zależnie od: rodzaju fotorezystu, parametrów jego obróbki (np. czas i temperatura wygrzewania), grubości fotorezystu, rodzaju promieniowania (mono/polichromatyczne, długość fali).
Wygrzewanie po naświetleniu Wygrzewanie po naświetlaniu można stosować w kilku przypadkach np.: przy zmniejszaniu naprężeń w rezyście. W przypadku fotorezystów o wzmocnieniu chemicznym (ang. chemically amplified) stosowanie wygrzewania po naświetleniu jest konieczne.