gdzie: – napięcie dren-źródło, – prąd drenu, – współczynnik modulacji długości kanału; odwrotnie proporcjonalny do długości kanału L.
W związku z podobieństwem do efektu w tranzystorze bipolarnym, termin „efekt Early’ego” stosowany jest również przy MOSFETach
Charakterystyka prądowo-napięciowa Poniższe równania zostały wyprowadzone dla tranzystora PNP. Dla NPN wystarczy zamienić n na p i p na n. Poniższe założenia dotyczą przyjęcia idealnej charakterystyki prądowo-napięciowej tranzystora bipolarnego: niski poziom wstrzykiwania ładunków, równomierne domieszkowanie w każdym obszarze, jednowymiarowy prąd, pomijalna rekombinacja w obszarach ładunku przestrzennego, pomijalne pola elektryczne na zewnątrz obszarów ładunku przestrzennego.
Ważne jest, aby scharakteryzować prądy dyfuzji, wynikające ze wstrzykiwania ładunków.
W odniesieniu do złącza p-n, kluczowe jest równanie dyfuzji:
Rozwiązanie tego równania znajduje się powyżej, a dwa warunki graniczne używane są, by znaleźć and
Następujące równania obowiązują odpowiednio dla emitera i kolektora, a początki i obowiązują dla bazy, kolektora i emitera:
Warunek graniczny emitera dany jest:
Wartości stałych i są zero z powodu następujących warunków emitera i kolektora, jako że and
Ponieważ wartości i to, odpowiednio, i
Równania na i mogą być przedstawione