High Bandwidth Memory (HBM) – wysokiej wydajności interfejs pamięci RAM dla 3D DRAM-ów firm AMD i Hynix. Ma on być stosowany w połączeniu z akceleratorami grafiki o wysokiej wydajności oraz urządzeniami sieciowymi. Pierwsze urządzenia do stosowania HBM to procesory Fiji firmy AMD.
Pamięć HBM została przyjęta przez JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) jako standard branżowy w październiku 2013 roku. Druga generacja, HBM2, została zaakceptowana przez JEDEC w styczniu 2016 roku.
Technologia HBM osiąga wyższą przepustowość przy mniejszym zużyciu energii oraz wyraźnie mniejszej wielkości niż DDR4 lub GDDR5. Efekt ten jest osiągany dzięki zestawieniu w stos do ośmiu matryc DRAM, w tym opcjonalnej matrycy podstawowej z kontrolerem pamięci, które są połączone za pomocą przepustów przelotowych (TSV) i mikro wypustów. Technologia HBM jest zasadniczo podobna, ale niekompatybilna z interfejsem Hybrid Memory Cube opracowanym przez Micron Technology.