miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 14 nm : Samsung Exynos TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm20203 nm20212 nm20231 nm2027 14 nanòmetres (14 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 14 nm. És una millora de la tecnologia de 22 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 25 àtoms de llargada.
Els transistors d'aquesta litografia estan preparats per dispositius que necessiten processadors de baix consum i com que són més petits, permeten posar més components dins el processador, com més nuclis (processadors multi-core) o diferents nivells de memòries caché i de més capacitat.
Història El 2014, Intel treu l'arquitectura Broadwell (5a generació de processadors Intel Core) i llença la família Core M. El 2015, Intel treu l'arquitectura Skylake (6a generació de processadors Intel Core). El 2015, Samsung treu la família Exynos. El 2016, Nvidia introdueix la sèrie GeForce 10. El 2016, Intel treu l'arquitectura Kaby Lake (7a generació de processadors Intel Core). El 2016, AMD allibera l'arquitectura Radeon RX 400. El 2017, AMD llença l'arquitectura Zen, amb els seus processadors Ryzen, i l'arquitectura Vega per processadors gràfics. El 2017, Intel treu l'arquitectura Coffe Lake (8a generació de processadors Intel Core).
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant) Tecnologia de litografia millorada : per feix d'electrons, d'immersió, multiple patterning Tecnologia de transistor FinFET
Processadors FabricantDataCPUNotesIntel2014Core MIntel20155a generació de Intel Core i3, i5, i7Samsung2015ExynosIntel2015-20166a generació de Intel Core i3, i5, i7AMD2016Radeon RX 400, RyzenIntel20177a generació de Intel Core i3, i5, i7AMD2017Processadors Ryzen, targetes gràfiques amb arquitectura VegaIntel20178a generació de Intel Core i3, i5, i7 miniatura|Fig.1 Transistor FinFET
FabricantIntelSamsungGlobalFoundriesUMCIBMNom del procésP1272 (CPU) / P1273 (SoC)14LPE, 14LPP, 14LPC, 14LPU14LPPPrimera producció20142015201520172015TransistorFinFETTipusBulkSOIOblia300mm Valor22 nm ΔValor20 nm ΔValor20 nm ΔValor28 nm ΔValor22 nm ΔPas de Fin42 nm0.70x48 nmN/A48 nmN/A ? nmN/A42 nmN/AAmplada de Fin8 nm1.00x8 nm8 nm ? nm10 nmAlçada de Fin42 nm1.24x~38 nm~38 nm ? nm25 nmPas de contacte de porta70 nm0.78x78 nm1.22x78 nm1.22x ? nm ?x80 nm0.80xPas de connexió52 nm0.65x64 nm1.00x64 nm1.00x ? nm ?x64 nm0.80xCel·lula 1 bit de RAM (HD)0.0588 µm²0.54x0.0806 µm² ?x0.0806 µm² ?x ? µm² ?x0.900 µm²Cel·lula 1 bit de RAM (LP)0.064 µm² ?x0.064 µm² ?x ? µm² ?x0.081 µm²0.81xCel·lula 1 bit de DRAM ? µm² ?x0.0174 µm²0.67x
Referències
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia litogràfica de multiple patterning
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats