miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 10 nm TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm20193 nm~20212 nm~20231 nm~2027 10 nanòmetres (10 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 10 nm. És una millora de la tecnologia de 14 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 18 àtoms de llargada.
Història 2015, l'empresa TSMC anuncia el començament de la producció en 10 nm. 2015, l'empresa Samsung mostra oblies de 300mm amb FinFET de 10 nm. 2016, Intel comença la producció de prova de 10 nm. 2016, Samsung anuncia la producció en massa de 10 nm
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k. Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k. Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant). Tecnologia de litografia millorada amb llum ultraviolada i multiple patterning. Tecnologia de transistor FinFET.
Processadors miniatura|Fig.1 Transistor FinFET Informació preliminar : FabricantIntelSamsungTSMCSK HynixNom del procésP127410LPE, 10LPP, 10LPU Primera producció2017201720172017TipusFinFET Valor14 nm ΔValor14 nm ΔValor16 nm ΔValor18 nm ΔPas de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAmplada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAlçada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de contacte de porta54 nm0.77x64 nm0.82x64 nm0.71x ? nm ?xPas de connexió ? nm ?x48 nm0.75x42 nm0.66x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM (HD) ? µm² ?x0.049 µm²0.61x ? µm² ?x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM (LP) ? µm² ?x0.040 µm²0.63x ? µm² ?x ? nm ?x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia litogràfica amb llum ultraviolada i multiple patterning
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats