miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 5 nm : No disponible encara TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm20193 nm~20212 nm~20231 nm~2027 5 nanòmetres (5 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 5 nm. És una millora de la tecnologia de 7 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 8 àtoms de llargada.
Història El 2015, IMEC i Cadence fabriquen circuits de test de 5 nm. El 2015, Intel demostrs un transistor de nanocable de 5 nm. El 2016, els laboratoris de Berkeley creen un transistor d'1 nm. .
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb Dielèctric high-k Tecnologia de materials amb Dielèctric low-k Tecnologia de SOI (silici sobre aïllant) Tecnologia de litografia millorada amb llum ultraviolada i multiple patterning, Fotolitografia ultraviolada extrema (electrònica). Tecnologia de transistor FinFET
Processadors Informació preliminar: FabricantIntelCommon PlatformTSMCNom del procésP1278?Primera producció TipusFinFET Valor7 nm ΔValor7 nm ΔValor7 nm ΔPas de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAmplada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xAlçada de Fin ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de contacte de porta ? nm ?x ? nm ?x~44 nm0.81xPas de connexió ? nm ?x ? nm ?x~32 nm0.84xCel·lula 1 bit de RAM (HD) ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?xCel·lula 1 bit de RAM (LP) ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x Common Platform : IBM, Samsung, GlobalFoundries
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia litogràfica amb llum ultraviolada i multiple patterning
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats