miniatura|458x458px|Fig.1 Tall en secció simplificada de la unió d'un transistor bipolar npn en tecnologia planar. Procés planar (o tecnologia de fabricació planar) és una tecnologia de fabricació usada en la indústria de semiconductors per a construir transistors, i alhora connectar-los entre ells. És el principal mètode de fabricació dels circuits integrats actuals. El procés planar va ser desenvolupat per Jean Hoerni, un dels fundadors de Fairchild Semiconductor l'any 1959.
Característiques El concepte clau del procés planar és considerar el circuit com un pla de dues dimensions i llavors aplicar les tècniques fotogràfiques d'aplicació de màscares. El substracte del circuit és l'oblia de silici on s'apliques diversos reactius químics per a crear aïllants (SiO₂ diòxid de silici), conductors (metal·lització) i unions pn (silici dopat). Processos bàsics : ProcésDescripcióNotesPreparació de l'oblia de siliciSubstracteCreixement epitaxialFormació de silici d'alta puresa (Electronic – Grade Silicon)Procés CzochralskiOxidacióCreació zones aïllants o passivització (SiO₂)Procés realitzat a alta temperatura (950 °C a 1250`C) FotolitografiaExposició de radiació lluminosa a través d'una màscaraAmb llum visible o ultra-violada.DifusióCanvi de la conductivitat selectiva sobre el silici.Procés realitzat a alta temperatura (900 °C a 1250`C) Implementació iònicaDopat o afegit d'impureses per a crear zones n i p.Procés realitzat a baixa temperatura.Tècnica d'aïllamentAfegit de zones aïllants.Metal·litzacióAfegit de zones (una capa) conductores.Procés realitzat a baixa pressió.Ensamblat i encapsulatPosat el dau de silici dintre l'encapsulat.
Referències
Categoria:Microelectrònica Categoria:Semiconductors