Carl John Frosch ((6 de setembre de 1908 – 18 de maig de 1984) va ser un investigador dels Laboratoris Bell. Amb Lincoln Derick, Frosch va descobrir que el silici podia ser recobert, protegint-lo, per diòxid de silici mitjançant l'exposició adequada a l'oxigen mentre està calent, i va patentar el mètode. Aquest recobriment protector va superar un problema dels estats superficials que es troba en els elements de circuit de silici actiu. El descobriment també va revelar el potencial del procés de gravat de silici.
Obra miniatura|325x325px| Transistor d'efecte de camp NPN, 1957 El 1957, Frosch i Derick van publicar el seu descobriment de la passivació superficial del silici per diòxid de silici, utilitzant una predeposició selectiva de SiO2 i emmascarament per produir els primers patrons de superfície de semiconductors de tipus n i p, els primers transistors d'efecte de camp de diòxid de silici i el primer MOSFET Els seus transistors van ser els primers en què el dren i la font eren adjacents a la superfície, cosa que demostra que la passivació superficial del diòxid de silici protegia i aïllava les oblies de silici. La invenció del semiconductor bidimensional, planar o superficial va permetre la seva posterior producció en massa.miniatura|325x325px| Transistor d'efecte de camp NPNP, 1957Als Laboratoris Bell, es va adonar immediatament de la importància de la tècnica de Frosch. Els resultats del seu treball van circular pels Bell Labs en forma de memoràndums BTL abans de ser publicats el 1957. A Shockley Semiconductor, William Shockley havia fet circular la preimpressió del seu article el desembre de 1956 a tot el seu personal sènior, inclosa Jean Hoerni. Aprofitant l'efecte passivant del diòxid de silici sobre la superfície del silici, Hoerni va proposar fabricar transistors protegits per una capa de diòxid de silici. Més tard, Jean Hoerni, mentre treballava a Fairchild Semiconductor, va patentar per primera vegada el procés planar el 1959.
Transistors Frosch i Derrick van construir diversos transistors d'efecte de camp de diòxid de silici el 1957. Un que s'assembla als MOSFET moderns i un altre amb una estructura NPNP, similar als IGBT moderns
Bibliografia Michael Riordan i Lillian Hoddeson (1997) Crystal Fire, pàgina 222, WW Norton & Company.
Referències
Enllaços externs Silicon Burns Una descripció del descobriment des del punt de vista d'un col·lega de Bell Labs.
Categoria:Nascuts el 1908