náhled|400px|Paměťová buňka DRAM DRAM () je asynchronní počítačová paměť, která uchovává data v podobě elektrického náboje v kondenzátoru, který odpovídá parazitní kapacitě řídící elektrody (gate) tranzistoru typu MOSFET. Tento tranzistor současně slouží i jako čítací prvek paměťové buňky – bitu.
V praxi byly asynchronní typy DRAM nahrazeny modernějšími synchronními typy SDRAM a DDR SDRAM (a jejich novějšími verzemi DDR2, DDR3, DDR4 a DDR5).
Charakteristiky Paměť typu DRAM je destruktivní při čtení. To znamená, že při každém přečtení se data z paměti vymažou. Avšak data se ihned po přečtení uloží do vyrovnávací paměti, odkud se okamžitě zase obnoví. Uživatel tedy samozřejmě o svá data nepřijde. I když je paměť připojena ke zdroji elektrického napětí, dochází v každé buňce neustále k pomalému vybíjení náboje. Proto paměť typu DRAM vyžaduje pravidelné obnovení elektrickým proudem, tj. opětovné nabíjení parazitní kapacity tzv. refresh. Dynamické paměti se vyznačují šestinásobně větší hustotou zaznamenané informace oproti statickým pamětím SRAM což má za následek nižší cenu při vyšší kapacitě. Na rozdíl od SRAM mají kvůli potřebě stálého obnovování nezanedbatelnou spotřebu energie i když se k nim nepřistupuje (nedochází k zápisu ani ke čtení). Paměť má ve srovnání s SRAM delší přístupový čas. Paměť vykazuje vážnou hardwarovou zranitelnost (umožňuje změnit bity v řádku paměti příliš častou změnou sousedních řádků).
Konstrukce náhled|250px|Princip operace čtení pro jednoduché pole 4x4. Výhoda DRAM spočívá v její konstrukční jednoduchosti: pouze jeden tranzistor a jeden kondenzátor pro jeden bit, namísto čtyř až šesti tranzistorů u SRAM. To umožňuje DRAM dosáhnout vysoké hustoty. Na rozdíl od flash paměti je DRAM nestálá (volatilní) a ztrácí tak rychle svá data, pokud je odpojena od napájení. Tranzistory a kondenzátory jsou extrémně malé – na jeden paměťový čip se jich vejdou miliardy. DRAM je většinou uspořádána do obdélníkové řady paměťových buněk (matice, šachovnice). Obrázek vpravo ukazuje jednoduchý příklad matice s 4 buňkami na výšku a 4 na šířku, moderní matice jich však mají tisíce.
Čtení a zápis
Čtení Čtení z paměti neprobíhá tak, že bychom paměti udali adresu a ona vrátila bit, který je na ní uložen. Z technologických důvodů se čtení z paměti skládá ze 2 operací – dílčí čtení a dílčí zápis. Při dílčím čtení se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Při tom dochází k vymazání dat (viz výše). Přečtený řádek se poté obnoví dílčím zápisem, při kterém se informace uloží na své původní místo.
Zápis I zápis do paměti se skládá ze stejných 2 operací jako čtení. Nejprve se provede dílčí čtení, při kterém se přečte celý řádek paměťové matice a uloží se do vyrovnávací paměti. Poté se ve vyrovnávací paměti změní požadované bity, které se mají do paměti zapsat a následně se při dílčím zápisu celý řádek z vyrovnávací paměti obnoví na původní adresu.
Odkazy
Reference
Externí odkazy
Fakulta informatiky Masarykovy univerzity - Paměti Paměti počítačů - studijní materiál pro předmět architektury počítačů na VŠB-TU Ostrava
Kategorie:Počítačová paměť Kategorie:Anglické zkratky
el:Μνήμη τυχαίας προσπέλασης#Τύποι μνήμης RAM