redresse=.85|vignette| Le phosphure de gallium-indium est un composé chimique de formule , avec . Il s'agit d'une solution solide de phosphure d'indium InP et de phosphure de gallium GaP. C'est un semiconducteur III-V de structure cristalline zincblende utilisé pour sa mobilité électronique plus élevée que celle du silicium et de l'arséniure de gallium GaAs qui le rend intéressant pour les applications aux transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) et aux MODFET (transistors à haute mobilité électronique, ). Il est également utilisé en optoélectronique avec de l'aluminium pour la réalisation de diodes électroluminescentes très lumineuses en alliage AlInGaP de couleur verte, jaune, orange et rouge orangé.
Le composé de formule présente de l'intérêt pour l'accord de sa maille avec celle de l'arséniure de gallium. Avec , il permet de faire croître des boîtes quantiques en accord de maille pour des lasers rouges, émettant par exemple à pour des utilisés avec des fibres optiques en .
L' est également utilisé dans les cellules photovoltaïques à hétérojonction sur de l'arséniure de gallium. Ont été obtenues des cellules à triple hétérojonction InGaP/GaAs/InGaAs atteignant un rendement de 37,4 % sous un soleil au zénith (AM1), porté à 44,4 % sous une concentration de ; il est également employé pour la réalisation de cellules à triple hétérojonction InGaP/GaAs/Ge, avec les compositions permettant de couvrir l'ensemble du spectre de .
Notes et références
Gallium-indium Catégorie:Composé de l'indium Catégorie:Composé du gallium Catégorie:Composé III-V Catégorie:Cellule photovoltaïque