vignette|alt=dispositif technique|Fours de diffusion et d'oxydation thermique à la centrale de technologie du LAAS-CNRS à Toulouse, France. Le recuit thermique rapide (sigle en anglais Recuit thermique rapide, RTP et RTA, sur crystec.com, consulté le 19 septembre 2016.) est un procédé de fabrication qui porte, par exemple, le wafer de silicium à haute température (jusqu'à ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.
Procédé Les wafers doivent être redescendus en température assez lentement, sinon ils se brisent à cause du choc thermique. De telles montées en température sont obtenues par des lampes à haute intensité ou par chauffage laser. Ces procédés sont utilisés dans une large variété d'applications dans la fabrication de semi-conducteurs incluant l'activation des dopants, l'oxydation thermique, la mise en forme de métaux et le dépôt par voie chimique.
Notes et références
Voir aussi Articles connexes Recuit
Liens externes Fours de recuit rapide
Catégorie:Industrie Catégorie:Fabrication de semi-conducteur