Un Dispositivo multiporta () o multiple gate field-effect transistor (MuGFET) fa riferimento a un MOSFET (transistor semiconduttore metalossidato ad effetto campo) che incorpora più di una porta (gate) in un singolo dispositivo. Le porte sono controllate da un singolo elettrodo-porta in cui le superfici di porte multiple agiscono elettricamente come un'unica porta o come elettrodi di porta indipendenti. Un dispositivo multiporta che impiega elettrodi indipendenti è chiamato talvolta Multiple Independent Gate Field Effect Transistor (MIGFET). I transistor multiporta sono una delle diverse strategie sviluppate dai produttori di semiconduttori CMOS per creare microprocessori e celle di memoria sempre più piccoli.
Planar double-gate transistor
Flexfet
FinFET
Il termine FinFET fu coniato dalla Università della California da ricercatori di Berkeley per descrivere un transistor a doppia porta non planare su un substrato SOIHuang, X. et al. (1999) "Sub 50-nm FinFET: PMOS" International Electron Devices Meeting Technical Digest, p. 67. December 5–8, 1999., basato sul precedente transistor DELTA (a singola porta)Hisamoto, D. et al. (1991) "Impact of the vertical SOI 'Delta' Structure on Planar Device Technology" IEEE Trans. Electron. Dev. 41 p. 745..
Transistor a tre porte
Gate-all-around (GAA) FET Transistor messo in produzione per la prima volta nel 2022. La variante di Intel si chiama RibbonFET.
MBCFET È una variante GAAFET prodotta da Samsung: Multi-Bridge Channel FET (FET con canale multiponte).
Note
Voci correlate FinFET RibbonFET
Collegamenti esterni
Categoria:Transistor