thumb|right|一般的なリード付き（スルーホール用）のセラミックコンデンサ セラミックコンデンサ（）は、セラミックスを誘電体として用いる固定容量のコンデンサである。セラミックスの層と、電極となる金属の層を2層以上交互に重ねた構造をもつ。セラミックス材料の組成によって電気的な特性が決まり、それによって用途も決まる。セラミックコンデンサは、次の2つの用途分類（クラス）に分けられる。 クラス1のセラミックコンデンサは、安定性が高く損失が小さいため、共振回路の用途に用いられる。 クラス2のセラミックコンデンサは、体積効率が高いため、緩衝（バッファ）、バイパス、カップリングの用途に用いられる。
セラミックコンデンサ、とくに積層セラミックコンデンサ（MLCC）は、電子機器で最も多く生産され使われているコンデンサであり、年間およそ1兆（1012）個が電子機器に組み込まれているDownload 。
特殊な形状や構造のセラミックコンデンサは、RFI/EMIの抑制用コンデンサや貫通コンデンサとして使われ、大型のものは送信機の電力用コンデンサとして使われる。
歴史 thumb|right|さまざまなセラミックコンデンサ。左右はリード付きの円板形、中央は積層セラミックチップコンデンサ（MLCC）
電気の研究が始まった当初から、ガラス、磁器、紙、雲母（マイカ）などの電気を通さない材料が絶縁体として使われてきた。これらの材料は、数十年後には初期のコンデンサの誘電体としても適していることが分かった。
マルコーニの無線送信装置の初期にも、送信機の高電圧・高周波の用途には磁器のコンデンサが使われていた。受信機側では、共振回路に小型のマイカコンデンサが使われた。マイカを誘電体とするコンデンサは、1909年にウィリアム・デュビリエが発明した。第二次世界大戦前のアメリカでは、マイカがコンデンサの誘電体として最も一般的であった。
マイカは天然の材料であり、無尽蔵に手に入るわけではない。そのため1920年代半ばのドイツでは、マイカの不足と、セラミックスの一種である磁器についての経験とから、セラミックスを誘電体とする最初のコンデンサが生まれ、セラミックコンデンサという新しい系統が始まった。最初のセラミック誘電体には、常誘電性の二酸化チタン（ルチル）が使われた。静電容量の温度依存性が直線的で、共振回路の温度補償に使えるうえ、マイカコンデンサを置き換えることができたためである。これらのセラミックコンデンサは1926年に少量生産され、1940年代に生産量が増えた。初期のセラミックコンデンサは、両面を金属化した円板に、スズめっきした線を接続した形状であった。この形状はトランジスタよりも古く、1930年ごろから1950年代にかけて、ラジオ受信機などの真空管機器で広く使われた。
しかし、この常誘電性の誘電体は誘電率が比較的低く、小さな静電容量しか実現できなかった。1930年代から1940年代にかけてラジオの市場が拡大すると、高周波のデカップリング用に、電解コンデンサよりは小さいものの、より大きな静電容量が求められるようになった。1921年に発見された強誘電性のセラミックス材料であるチタン酸バリウムは、誘電率が1,000程度と、二酸化チタンやマイカの約10倍であり、電子機器の用途ではるかに大きな役割を果たすようになったWaugh, Mark D. "Design solutions for DC bias in multilayer ceramic capacitors". Murata. 。
誘電率が高いことで静電容量ははるかに大きくなったが、電気的なパラメータは比較的不安定であった。そのため、これらのセラミックコンデンサが、広く使われていたマイカコンデンサを置き換えられたのは、安定性がそれほど重要でない用途に限られた。マイカコンデンサに比べて寸法が小さいこと、製造コストが低いこと、マイカの供給に左右されないことから、普及が進んだ。
thumb|left|円筒形のセラミックコンデンサ。1950年代から1970年代のセラミックコンデンサの典型的な形状
第二次世界大戦後に放送産業が急速に成長したことで、結晶学、相転移、セラミックス材料の化学的・機械的な最適化についての理解が深まった。さまざまな基本材料を複雑に混合することで、セラミックコンデンサの電気的特性を精密に調整できるようになった。セラミックコンデンサの電気的特性を区別するため、標準化によっていくつかの用途分類（クラス1、クラス2、クラス3）が定められた。注目すべきことに、戦中と戦後にアメリカとヨーロッパの市場で別々に開発が進んだ結果、これらのクラスの定義は異なるものになった（EIAとIEC）。IECの規格への世界的な統一が進んだのは、2010年以降になってからである。
戦後の1950年代から1970年代にかけて、ラジオの用途で円板形と並んで典型的だったセラミックコンデンサ（当時の英語では「コンデンサー（condenser）」と呼ばれた）の形状は、内面と外面の両方をスズまたは銀で覆ったセラミックスの管であった。比較的長い端子をもち、抵抗器などの部品とともに、むき出しの配線が入り組んだ回路を形づくっていた。
成形しやすいセラミックス材料のおかげで、高電圧、高周波（RF）、電力の用途向けに、特殊な形状や大型のセラミックコンデンサが開発された。
thumb|right|マイクロプロセッサの周囲にデカップリングコンデンサとして配置されたMLCC 1950年代に半導体技術が発展すると、ドーピングした強誘電性セラミックスを用いて、バリア層コンデンサ（IECのクラス3、EIAのクラスIV）が開発された。このドーピングした材料は積層化に適さなかったため、数十年後にはクラス2のY5Vコンデンサに置き換えられた。
初期の円板形セラミックコンデンサは、1950年代から1970年代に一般的だった円筒形のセラミックコンデンサよりも安く生産できた。1961年に始まったアポロ計画のさなか、あるアメリカの企業が、複数の円板を積み重ねて一体のブロックにする方法を開発した。この「積層セラミックコンデンサ」（MLCC）は小型で、大きな静電容量をもっていた"Murata, Technical Report, Evolving Capacitors". 。テープ成形と、セラミックスと電極を同時焼成する工程によってこのコンデンサを製造することは、製造上の大きな挑戦であった。MLCCによって、より小さな外形でより大きな静電容量を必要とする用途にまで、応用の範囲が広がった。これらのセラミックチップコンデンサは、1980年代に電子機器の実装方式がスルーホール実装から表面実装へと移行する原動力となった。有極性の電解コンデンサを無極性のセラミックコンデンサに置き換えられるようになり、実装も簡単になった。
1993年、TDKは、パラジウムを含む電極を、はるかに安価なニッケル電極に置き換えることに成功した。これにより製造コストが大幅に下がり、MLCCの大量生産が可能になった。この技術改良によって、2000年にパラジウムの価格が上昇すると、価格を理由にパラジウムから置き換えることが可能になった。これに、メーカーが市場から買わずに在庫を使ったことと、ドットコム・バブル期の電子機器の需要の落ち込みが重なり、2001年の電子機器向けのパラジウム需要は前年の3分の1（216万トロイオンスから70万トロイオンス）に落ち込んだ。2025年時点で、需要は2000年以前の水準に戻っていない。
2012年時点で、MLCCは年間1012個以上製造されている。セラミックチップコンデンサの形状と並んで、円板形のセラミックコンデンサは、電磁妨害の抑制用途で安全規格認定コンデンサとしてよく使われる。このほか、高電圧や高周波の送信機向けの大型の電力用セラミックコンデンサもある。
セラミックス材料では、反強誘電性セラミックスによる新しい開発も行われている。この材料は、反強誘電相と強誘電相の間で非線形の相転移を起こし、高い体積効率でより多くのエネルギーを蓄えられる。起爆装置などのエネルギー蓄積に使われるHackenberger, W.; Kwon, S.; Alberta, E. "Advanced Multilayer Capacitors Using High Energy Density Antiferroelectric Ceramics". TRS Technologies Inc. 。
用途分類と定義 セラミックコンデンサに使われるセラミックス材料（常誘電性または強誘電性のセラミックス）の違いは、コンデンサの電気的特性に影響する。二酸化チタンを主成分とする常誘電性物質の混合物を使うと、定められた温度範囲で静電容量がきわめて安定かつ直線的に変化し、高周波での損失も小さい。しかし、これらの混合物は誘電率が比較的低いため、コンデンサの静電容量は比較的小さい。
チタン酸バリウムなどの強誘電性材料に特定の酸化物を加えた混合物を使うと、より大きな静電容量が得られる。これらの誘電体材料は誘電率がはるかに高いが、静電容量は温度範囲にわたって多かれ少なかれ非線形に変化し、高周波での損失もはるかに大きい。こうした電気的特性の違いから、セラミックコンデンサは「用途分類」（クラス）に分けられている。用途分類の定義は標準化によるものである。2013年時点で、国際電気標準会議（IEC）の規格と、現在は解散した電子工業会（EIA）の規格の2種類が使われていた。
2つの規格による用途分類の定義は異なる。次の表に、セラミックコンデンサの用途分類の定義の違いを示す。 + セラミックコンデンサの用途分類の定義の違い IEC/EN 60384-1 およびIEC/EN 60384-8/9/21/22 による定義 EIA RS-198 による定義 クラス1のセラミックコンデンサ 安定性が高く損失が小さい。共振回路の用途向け クラスI（クラス1とも書く）のセラミックコンデンサ 安定性が高く損失が小さい。共振回路の用途向け クラス2のセラミックコンデンサ 体積効率が高い。平滑、バイパス、カップリング、デカップリングの用途向け クラスII（クラス2とも書く）のセラミックコンデンサ 体積効率が高く、静電容量の変化が−15%から+15%以内で、温度範囲が−55 °Cから+125 °Cより広い。平滑、バイパス、カップリング、デカップリングの用途向けクラス3のセラミックコンデンサ バリア層コンデンサ。現在は標準化されていない クラスIII（クラス3とも書く）のセラミックコンデンサ EIAのクラスIIより体積効率が高い。より狭い10 °Cから55 °Cの温度範囲で、静電容量の変化は典型的に−22%から+56%。EIAのクラス2のY5U/Y5VまたはZ5U/Z5Vのコンデンサで代替できる – クラスIV（クラス4とも書く）のセラミックコンデンサ バリア層コンデンサ。現在は標準化されていない メーカー、とくにアメリカのメーカーは、電子工業会（EIA）の規格を好んで使った。EIA RS-198は、多くの部分でIECの規格とよく似ており、セラミックコンデンサの用途分類を4つ定めている"CLASS III –General Purpose High-K Ceramic Disk Capacitors". Chroma Technology Co., Ltd.. 。
2つの規格でクラスの番号が異なることは、多くのメーカーのデータシートにあるクラスの記述を読む際に、多くの誤解を生む原因となっている"Kemet: Ceramic leaded Capacitors F-3101F06/05". Ceramic Ceramic 。EIAは2011年2月11日に活動を終えたが、その旧部門は引き続き国際的な標準化団体の活動に携わっている。
以下では、IECの規格の定義を優先し、重要な場合にはEIAの規格の定義と比較する。
クラス1のセラミックコンデンサ クラス1のセラミックコンデンサは、精度の高い温度補償用のコンデンサである。電圧、温度、そしてある程度は周波数に対しても、最も安定している。損失が最も小さいため、安定性が不可欠な共振回路や、回路の温度による影響を補償する場合など、温度係数を精密に定める必要がある用途にとくに適している。クラス1のセラミックコンデンサの基本材料は、二酸化チタン（TiO2）などの常誘電性材料を細かく粉砕した粒子の混合物で、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、マグネシウム、タンタル、コバルト、ストロンチウムの添加物で改質されている。これらの添加物は、コンデンサに求められる直線的な特性を得るために必要であるW. S. Lee, J. Yang, T. Yang, C. Y. Su, Y. L. Hu, Yageo: In: Passive Components Industry, 2004, page 26ff Ultra High-Q NP0 MLCC with Ag inner Electrode for Telecommunication Application。
クラス1のコンデンサの静電容量の温度特性は、TiO2などの基本となる常誘電性材料によって大まかに決まる。化学組成への添加物は、求める温度特性を精密に調整するために使われる。
クラス1のセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサの中で体積効率が最も低い。これは、常誘電性材料の誘電率が比較的低い（6から200）ためである。そのため、クラス1のコンデンサの静電容量は小さい範囲にとどまる。
+ クラス1のセラミックコンデンサのセラミックス材料 化学式 比誘電率 ε 温度係数 α /ppm·K−1 MgNb2O6 21 −70 ZnNb2O6 25 −56 MgTa2O6 28 18 ZnTa2O6 38 9 (ZnMg)TiO3 32 5 (ZrSn)TiO4 37 0 Ba2Ti9O20 40 2
クラス1のコンデンサの温度係数は、典型的には温度に対してほぼ直線的である。これらのコンデンサの電気的な損失はきわめて小さく、誘電正接は約0.15%である。目立ったエージング（経時変化）はなく、静電容量は印加電圧にほとんど左右されない。こうした特性から、高いQ値が必要なフィルタ、共振回路、発振器（位相同期回路など）に使われる。
EIA RS-198規格では、クラス1のセラミックコンデンサを、温度係数を表す3文字の記号で表す。1文字目は、温度に対する静電容量の変化（温度係数α）の有効数字をppm/Kで表す。2文字目は温度係数の乗数を表す。3文字目は、その値からの最大許容差をppm/Kで表す。いずれも25 °Cから85 °Cの範囲での値である。 + EIA RS-198による クラス1のセラミックコンデンサの温度係数の英数字記号温度係数 α/ppm·K−1文字記号 乗数数字記号許容差/ppm·K−1文字記号 C: 0.0 0: −1 G: ±30 B: 0.3 1: −10 H: ±60 L: 0.8 2: −100 J: ±120 A: 0.9 3: −1000 K: ±250 M: 1.0 5: +1 L: ±500 P: 1.5 6: +10 M: ±1000 R: 2.2 7: +100 N: ±2500 S: 3.3 8: +1000 T: 4.7 V: 5.6 U: 7.5 クラス1のセラミックコンデンサの静電容量の温度係数は、EIAの記号のほか、「NP0」「N220」などのセラミックスの名称で表すことも一般的である。これらの名称には温度係数（α）が含まれている。IEC/EN 60384-8/21規格では、温度係数と許容差を2文字の文字記号で表し（表を参照）、対応するEIAの記号を併記している。
+ IEC/EN 60384-8/21とEIA RS-198による クラス1のセラミックコンデンサの セラミックスの名称、温度係数、許容差、英数字記号 セラミックスの名称 温度係数 α/ppm·K−1 許容差/ppm·K−1 サブクラス IEC/EN 文字記号 EIA 英数字記号 P100 100 ±30 1B AG M7G NP0 0 ±30 1B CG C0G N33 −33 ±30 1B HG H2G N75 −75 ±30 1B LG L2G N150 −150 ±60 1B PH P2H N220 −220 ±60 1B RH R2H N330 −330 ±60 1B SH S2H N470 −470 ±60 1B TH T2H N750 −750 ±120 1B UJ U2J N1000 −1000 ±250 1F QK Q3K N1500 −1500 ±250 1F VK P3K たとえば、EIA記号が「C0G」の「NP0」コンデンサは、温度係数が0で許容差が±30 ppm/Kであり、記号が「P3K」の「N1500」は、温度係数が−1500 ppm/Kで最大許容差が±250 ppm/Kである。なお、IECとEIAのコンデンサの記号は業界のコンデンサの記号であり、軍用のコンデンサの記号とは異なる。
クラス1のコンデンサには、さまざまな温度係数αのものがある。とくに、αが±0×10−6/K、αの許容差が30 ppmのNP0/CG/C0Gのコンデンサは、技術的にきわめて重要である。これらのコンデンサの静電容量の変化dC/Cは、−55 °Cから+125 °Cの温度範囲で±0.54%である。これにより、広い温度範囲で正確な周波数特性が得られる（共振回路など）。特有の温度特性をもつほかの材料は、発振回路のコイルなど、並列に接続された部品の逆向きの温度変化を補償するために使われる。クラス1のコンデンサは、定格静電容量の許容差もきわめて小さい。
クラス2のセラミックコンデンサ thumb|right|クラス2のセラミックコンデンサと、温度による静電容量の典型的な許容範囲（色付きの範囲）
クラス2のセラミックコンデンサは、誘電率の高い誘電体をもつため、クラス1のコンデンサより体積効率が高いが、精度と安定性は低い。セラミック誘電体は、温度範囲にわたって静電容量が非線形に変化するのが特徴である。静電容量は印加電圧にも左右される。損失の小ささや静電容量の安定性がそれほど重要でない、バイパス、カップリング、デカップリングの用途や、周波数弁別回路に適している。典型的にはマイクロフォニック効果を示す。
クラス2のコンデンサは、チタン酸バリウム（BaTiO3）などの強誘電性材料に、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム、酸化アルミニウムなどの適切な添加物を加えて作られる。これらのセラミックスは誘電率がきわめて高く（200から14,000）、非常に強い電界、ひいては大きな静電容量を比較的小さなパッケージに収められる。クラス2のコンデンサは、同等のクラス1のコンデンサよりかなり小さい。しかし、誘電率は電界強度に対して非線形であり、端子間の電圧が上がると静電容量が大きく変化する。クラス2のコンデンサは温度安定性も低く、時間とともにエージングする。
こうした性質から、クラス2のコンデンサは、電源の入出力の緩衝・フィルタリングや電気信号のカップリングなど、正確な値ではなく最低限の静電容量があればよい用途に一般に使われる。
クラス2のコンデンサは、温度範囲にわたる静電容量の変化によって表示される。最も広く使われている分類はEIA RS-198規格に基づくもので、3文字の記号を使う。1文字目のアルファベットは最も低い、2文字目の数字は最も高い温度、3文字目のアルファベットは、定められた温度範囲全体で許される静電容量の最大変化を表す。
+ EIA RS-198によるクラス2のセラミックコンデンサの記号 温度範囲と、それに伴う静電容量の変化 低温側の文字記号 高温側の数字記号 温度範囲での静電容量の変化の文字記号 X = −55 °C 4 = +65 °C P = ±10% Y = −30 °C 5 = +85 °C R = ±15% Z = +10 °C 6 = +105 °C L = ±15%、125 °C超では+15/−40% 7 = +125 °C S = ±22% 8 = +150 °C T = +22/−33% 9 = +200 °C U = +22/−56% V = +22/−82% たとえば、Z5Uのコンデンサは+10 °Cから+85 °Cで動作し、静電容量の変化は最大で+22%から−56%である。X7Rのコンデンサは−55 °Cから+125 °Cで動作し、静電容量の変化は最大で±15%である。
よく使われるクラス2のセラミックコンデンサの材料を次に挙げる。 X8R（−55/+150 °C、ΔC/C0 = ±15%） X7R（−55/+125 °C、ΔC/C0 = ±15%） X6R（−55/+105 °C、ΔC/C0 = ±15%） X5R（−55/+85 °C、ΔC/C0 = ±15%） X7S（−55/+125 °C、ΔC/C0 = ±22%） Z5U（+10/+85 °C、ΔC/C0 = +22/−56%） Y5V（−30/+85 °C、ΔC/C0 = +22/−82%）
IEC/EN 60384-9/22規格では、別の2文字の記号を使う。
+ IEC/EN 60384-9/22による記号温度範囲と、それに伴う静電容量の変化 静電容量の変化の記号 U = 0での最大静電容量変化 ΔC/C0 U = UNでの最大静電容量変化 ΔC/C0 温度範囲の記号 温度範囲 2B ±10% +10/−15% 1 −55 - +125 °C 2C ±20% +20/−30% 2 −55 - +85 °C 2D +20/−30% +20/−40% 3 −40 - +85 °C 2E +22/−56% +22/−70% 4 −25 - +85 °C 2F +30/−80% +30/−90% 5 (−10 - +70) °C 2R ±15% − 6 +10 - +85 °C 2X ±15% +15/−25% – –
ほとんどの場合、EIAの記号をIEC/ENの記号に読み替えることができる。わずかな読み替えの誤差は生じるが、通常は許容できる範囲である。 X7Rは2X1に相当する Z5Uは2E6に相当する Y5Vは2F4に近い。ただしΔC/C0が+30/−82%ではなく+30/−80%である点が異なる X7Sは2C1に近い。ただしΔC/C0が±22%ではなく±20%である点が異なる X8Rに対応するIEC/ENの記号はない
クラス2のセラミックコンデンサは静電容量の精度と安定性が低いため、許容差は大きくなる。
軍用のクラス2の誘電体では、温度特性（TC）は定められているが、温度電圧特性（TVC）は定められていない。軍用のBX形は、X7Rと同様に温度による変化が15%を超えてはならず、さらに最大定格電圧で+15%/−25%以内でなければならない。BR形のTVCの限度は+15%/−40%である。
クラス3のセラミックコンデンサ クラス3のセラミックコンデンサ（バリア層コンデンサ、半導体セラミックコンデンサ）は、誘電率が最大50,000ときわめて高く、クラス2のコンデンサより体積効率が高い。しかし、精度や安定性が低いなど、電気的特性は劣る。誘電体は、温度範囲にわたって静電容量がきわめて大きく非線形に変化するのが特徴である。静電容量はさらに印加電圧にも左右される。損失もきわめて大きく、時間とともにエージングする。
バリア層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム（BaTiO3）などのドーピングした強誘電性材料で作られる。このセラミックス技術が1980年代半ばに進歩すると、バリア層コンデンサは最大100 μFの静電容量のものが入手できるようになり、当時は小型の電解コンデンサに代わりうると考えられた。 center|300px|バリア層コンデンサの構造と動作原理 この材料では積層コンデンサを作ることができないため、市場にはリード付きの単層形しかない"Semiconductive (Barrier Layer Type) Capacitor, Class III : Semi- conductive type". Yellow Stone corp.. Hitano. "CERAMIC DISC CAPACITORS-(Semi Conductive) CLASS 3 TYPE S, Y5P… Y5V".。
より小さなパッケージで優れた性能を実現する積層セラミックコンデンサの進歩により、バリア層コンデンサは技術として時代遅れとみなされ、IECでも標準化されなくなった。
構造と形状
セラミックコンデンサは、常誘電性または強誘電性の材料を細かく粉砕した粒子に、求める特性を得るためのほかの材料を適切に混ぜた混合物でできている。この粉末の混合物を高温で焼結してセラミックスにする。セラミックスは誘電体となり、金属電極の支持体にもなる。誘電体層の最小の厚さは、2013年時点で低電圧用コンデンサでは0.5マイクロメートル程度であり、セラミックス粉末の粒径によって下限が決まる。より高い電圧用のコンデンサの誘電体の厚さは、求める絶縁耐力によって決まる。
コンデンサの電極は、金属化によってセラミックスの層の上に形成される。MLCCでは、金属化したセラミックスの層を交互に積み重ねる。素体の両側に突き出た電極の金属化部分は、接続端子とつながる。ラッカーやセラミックスの被覆が、湿気などの周囲の影響からコンデンサを守る。
セラミックコンデンサにはさまざまな形状がある。主なものを次に挙げる。 積層セラミックチップコンデンサ（MLCC）：直方体のブロック形で、表面実装用 円板形セラミックコンデンサ：単層の円板を樹脂で被覆したもので、スルーホール実装用のリードをもつ 貫通形セラミックコンデンサ：高周波回路のバイパス用に使われる。管状で、内側の金属化部分がリード線につながり、外側の金属化部分をはんだ付けする 電力用セラミックコンデンサ：高電圧用途向けの、さまざまな形状の大型のセラミックス素体
積層セラミックコンデンサ（MLCC）
製造
MLCCは、単層のコンデンサを多数積み重ねて1つのパッケージにしたものと考えることができる。すべてのMLCCチップの出発原料は、常誘電性または強誘電性の原料を細かく粉砕した粒子の混合物で、正確に定めた添加物で改質されているKahn, M. "MULTILAYER CERAMIC CAPACITORS–MATERIALS AND MANUFACTURE, TECHNICAL INFORMATION". AVX Corporation. 。混合物の組成と、10 nmほどの小さな粉末粒子の大きさに、メーカーの専門技術が表れる。
粉末を適切なバインダとともに懸濁させたものから、薄いセラミックスのシートを成形する。シートのロールを同じ大きさのシートに切り分け、電極となる金属ペーストの層をスクリーン印刷する。自動化された工程で、これらのシートを必要な層数だけ積み重ね、圧力をかけて固める。静電容量は、比誘電率のほか、層の大きさと層数によって決まる。電極は、隣の層からわずかにずらして交互に積み重ねられ、ずれた側（片方は左、もう片方は右）でそれぞれ後から接続できるようになっている。積層体を加圧したのち、個々の部品に切断する。たとえば「0201」サイズ（0.6 mm × 0.3 mm）で500層以上を積み重ねるには、高い機械的精度が必要である。
切断後、積層体からバインダを焼き飛ばす。続いて1200 °Cから1450 °Cの温度で焼結し、主に結晶質の最終的な構造にする。この焼成工程によって、求める誘電特性が生まれる。焼成の後は洗浄し、両端面を金属化する。この金属化によって、端部と内部の電極が並列に接続され、コンデンサの端子ができる。最後に、各コンデンサの電気的な検査を行って機能と性能を確かめ、テープリール包装にされる。
center|500px|積層セラミックチップコンデンサの製造工程の概略
小型化 MLCCの静電容量Cは、平行平板コンデンサの式を層数で拡張した次の式で表される。
ここで、εは誘電体の誘電率、Aは電極の面積、nは層数、dは電極間の距離である。