Ро́берт Арно́льдович Су́рис () — советский и российский , доктор физико-математических наук (1974), профессор (1982), академик РАН (2006), лауреат Государственной премии РФ (2001).
Работал в НИИ физических проблем, заведовал лабораторией ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН. Занимался исследованиями в следующих областях: теория твёрдого тела и полупроводников, теория твердотельных приборов и микроэлектронная технология, статистическая механика и фазовые переходы. В 1971 году вместе с предложил концепцию квантово-каскадного лазера.
Биография Р. А. Сурис родился 31 декабря 1936 года в Москве. Его отец Арнольд Давидович Сурис (1908—1999) — советский архитектор, лауреат Сталинской премии. С матерью Натальей в октябре 1941 года Роберт уехал в эвакуацию из Москвы в Уфу, вернулся в начале 1943 года. В детстве занимался в изостудии при Архитектурном институте.
В 1960 году Сурис окончил с отличием физико-химический факультет МИСиСа по специальности «физика металлов». После этого по распределению попал в научно-исследовательский институт «Пульсар» в Москве, где начал свою карьеру и работал инженером и старшим инженером. В 1964 году перевёлся в НИИ физических проблем имени Ф. В. Лукина в Зеленограде, где прошёл путь от младшего научного сотрудника до начальника отделения. С 1988 года возглавил сектор теоретических основ микроэлектроники в Физико-техническом институте АН СССР / РАН. В 1993—1997 годах занимал также должность директора Отделения твердотельной электроники этого института.
В 1964 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по теме «О применении метода функций Грина в некоторых задачах физики твёрдого тела»Сурис, Роберт Арнольдович // О применении метода функций Грина в некоторых задачах физики твёрдого тела: диссертация кандидата физико-математических наук: 01.00.00. — М., 1963. — 108 с., в 1974 году — диссертацию на соискание учёной степени доктора физико-математических наук по теме «Исследования по теории электрических неустойчивостей в полупроводниках и полупроводниковых структурах».
В период с 1974 по 1988 годы преподавал в МФТИ. В 1982 году стал профессором. С 1989 по 2012 годы был профессором и заведующим кафедрой физики твёрдого тела в СПбПУ. С 2012 года являлся профессором и заведующим кафедрой физики конденсированного состояния в Санкт-Петербургском академическом университете.
30 мая 1997 года был избран членом-корреспондентом РАН, 25 мая 2006 года — действительным членом РАН по Отделению физических наук. Входил в состав президиума СПбНЦ РАН, а после учреждения регионального отделения РАН в Санкт-Петербурге (СПбО) — в президиум отделения.
Являлся членом редколлегий журналов «Успехи физических наук», «Журнал технической физики», «Микроэлектроника», главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников».
Был женат на дочери известного физика-теоретика Б. Н. Финкельштейна (1902—1962)Чем мне дорог Физтех? // Троицкий вариант — Наука, 29.01.2019.
Умер 14 мая 2024 года в возрасте 87 лет.
В 2025 году в Санкт-Петербургском Академическом университете имени Ж. И. Алферова открылась аудитория имени академика Суриса Р. А..
Научный вклад Область научных интересов Р. А. Суриса включает теорию твёрдого тела, полупроводниковые наноструктуры, нано- и оптоэлектронику, теорию твердотельных приборов и микроэлектронную технологию, статистическую механику и фазовые переходы. Сурис является пионером в теории полупроводниковых наногетероструктур и устройств на их основе. Его работы стимулировали многие экспериментальные исследования и технические разработки, включая новые типы полупроводниковых лазеров.
В 1971 году Сурис совместно с Р. Ф. Казариновым опубликовал статью, в которой предсказал возможность лазерной генерации в полупроводниковых периодических гетероструктурах с резонансным туннелированием. Эти исследования положили начало технологии квантовых каскадных лазеров. Эта работа явилась основанием для выдвижения Суриса и Казаринова на Нобелевскую премию по физике.
В 1972 году совместно с другими сотрудниками ФТИ разработал теорию гетеролазера с распределённой обратной связью, которая стала ключевым элементом систем оптоволоконной связи. Описал спектральные характеристики инжекционных лазеров с составными резонаторами.
В 1974 году совместно с Р. Ф. Казариновым предложил идею использования инжекционного лазера для гетеродинного приема света.
Совместно с Л. В. Асряном создал теорию полупроводниковых инжекционных лазеров на квантовых точках, за что в 2001 году был удостоен Государственной премии РФ.
В 2001 году при исследовании экситонов показал ключевую роль корреляции между фотовозбуждаемым трионом и оставшейся после электронного перехода дыркой их фермиевского моря — состояние, получившее название тетрон Суриса.
Сурис также разработал теорию приповерхностных состояний в полупроводниковых гетероструктурах и, совместно с В. А. Гергелем, — теорию структур металл-окисел-полупроводник, что отразилось в научной терминологии для обозначения пространственных флуктуаций концентрации носителей заряда в этих структурах — лужи Гергеля — Суриса. Развил теорию туннелирования электронов через шероховатые границы. Вместе с Б. И. Фуксом предсказал и разработал теорию волн пространственной перезарядки ловушек в полупроводниках, которые определяют свойства ИК-фотоприёмников. В последние годы Сурис успешно развивал теорию полупроводников со сверхрешётками из квантовых точек.
Развил теорию фликкер-шумов в эпитаксиальных плёнках высокотемпературных сверхпроводников, теорию коллективных эффектов и многочастичных электронно-дырочных комплексов в наноструктурах и процессов эпитаксиального роста таких структур.
Автор и соавтор более чем 300 научных статей, опубликованных в реферируемых журналах. Имеет более 4500 цитирований; индекс Хирша — 33 (данные РИНЦ на 2024 годСведения о публикациях Р. А. Суриса и данные об их цитируемости на портале Elibrary.) и около 20 изобретений.
Р. А. Сурис руководил защитой 23 кандидатских диссертаций своих учеников и семи докторов наук.
Публикации
Книги
Статьи
Общественная позиция В феврале 2022 года подписал открытое письмо российских учёных и научных журналистов с осуждением вторжения России на Украину и призывом вывести российские войска с украинской территории.
Награды Медаль «За трудовое отличие» (1986). Премия Ранка (1998) (по оптоэлектронике) совместно с Ф. Капассо, и Р. Казариновым. Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (1999). Государственная премия Российской Федерации (2001). Премия присуждена коллективу авторов: Алфёров Ж. И., Асрян Л. В., Копьев П. С., Бимберг Д., Леденцов Н. Н., Сурис Р. А., Устинов В. М., Щукин В. А. за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе». Премия Гумбольдта (2002). Премия имени А. Ф. Иоффе (2005) — за цикл работ «Исследование полупроводниковых сверхрешеток на основе квантовых ям и квантовых точек». Премия имени А. Ф. Иоффе в области физики и астрономии, Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского НЦ РАН (2008). Орден Дружбы (2010). Благодарность Президента Российской Федерации (5 февраля 2024 года) — за заслуги в развитии отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук.
Примечания
Литература
Ссылки
Категория:Физики-теоретики СССР Категория:Физики-теоретики России Категория:Выпускники МИСиСа Категория:Преподаватели Санкт-Петербургского политехнического университета Категория:Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе Категория:Лауреаты премии имени А. Ф. Иоффе Категория:Лауреаты Государственной премии РФ в области науки и техники