Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.
Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза, США, Японии, Украины и Швейцарии.
Общие сведения Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы.
Разработки В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуруГуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г..
История Институт был создан в 1977 году в Томском академгородкеhttp://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html История Института сильноточной электроники СО РАН].
Директора Институт возглавляли: 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович. 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич. с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.
Структура Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович) Отдел физической электроники Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль) Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев) Лаборатория вакуумной электроники Лаборатория газовых лазеров Лаборатория оптических излучений Лаборатория низкотемпературной плазмы Лаборатория прикладной электроники Лаборатория теоретической физики Лаборатория плазменных источников Конструкторско-технологический отдел Группа автоматизации научных исследований
Дирекция Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук Зам. директора по научной работе: Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук Научный руководитель Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор
См. также Институт цитологии и генетики СО РАН
Примечания
Ссылки Официальный сайт института
Категория:Институты РАН Категория:Томский научный центр СО РАН Категория:Институты АН СССР Категория:Организации, подвергнутые санкциям в связи со вторжением России на Украину