thumb|Výkonový IGBT (3300 V/1200 A) thumb|Náhradná schéma IGBT thumb|Rez typickým IGBT so zakresleným prepojením MOSFET a bipolárneho tranzistoru. Reálne IGBT obsahujú viacero takýchto buniek zapojených paralelne pre zvýšenie maximálneho prúdu.
Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (, skrátene IGBT) je druh tranzistora pre veľmi vysoké spínané výkony (rádovo niekoľko desiatok kW) a frekvenciu spínania do 20kHz. Už s názvu vyplýva, že IGBT využíva výhodu jednoduchého riadenia MOSFET a nízky odpor bipolárnych tranzistorov.
Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).
Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádu desiatok kW, pretože bipolárne tranzistory a hlavne tyristory boli síce výkonné, ale pomalé. Výkonové MOSFET so schopnosťou blokovať vysoké napätia mali zas veľmi veľký odpor v zopnutom stave a tým vznikali veľké výkonové straty, čo významne znižovalo účinnosť výkonových meničov.
Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.
Výhody: nízke straty v zopnutom stave nízky budiaci výkon vysoké spínacie frekvencie veľký rozsah pracovných napätí a prúdu
Pozri aj Tranzistor MOSFET Tyristor
Iné projekty
Kategória:Tranzistory Kategória:Elektrické súčiastky