Indijum(III)-fosfid (-{InP}-) je binarni poluprovodnik koji se sastoji od indijuma i fosfora. On ima čeono-centriranu kubnu kristalnu strukturu, identičnu s -{GaAs}- i većinom -{III-V}- poluprovodnika.
-{InP}- se koristi u elektronici visoke snage i frekvencija zbog njegove superiorne elektronske brzine u odnosu na poluprovodnike u široj upotrebi poput silicijuma i galijum-arsenida. On takođe poseduje direktnu zabranjenu zonu, što ga čini podesnim za optoelektronske uređaje kao što su laserske diode. -{InP}- se isto tako koristi kao zamena za epitaksijalni indijum-galijum-arsenid bazirane opto-elektronske uređaje.
Reference
Spoljašnje veze -{Extensive site on the physical properties of indium phosphide (Ioffe institute)}- -{InP conference series at IEEE}- -{Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier}-
Категорија:Фосфиди Категорија:Једињења индијума Категорија:Неорганска једињења фосфора Категорија:Оптоелектроника Категорија:Полупроводнички материјали