Galijum-nitrid (GaN) je hemijsko jedinjenje, koje ima molekulsku masu od 86,754 -{Da}-. Koristi se i kao direktno pojasni binarni poluprovodnik u svijetlećim diodama od 1990-ih.
Pošto GaN tranzistori mogu da rade na mnogo višim temperaturama i rade na mnogo većim naponima od tranzistora galijum-arsenida (GaAs), oni prave idealna pojačala snage na mikrotalasnim frekvencijama. Pored toga, GaN nudi obećavajuće karakteristike za THz uređaje.
Osobine
Osobina Vrednost Broj akceptora vodonika 1 Broj donora vodonika 1 Broj rotacionih veza 0 Particioni koeficijent (-{ALogP)}- -0,3 Rastvorljivost (-{logS, log(mol/L}-)) 2,1 Polarna površina (-{PSA}-, Å2) 35,0
Reference
Literatura
Spoljašnje veze
Категорија:Амонијум једињења Категорија:Једињења галијума