Верхній затвор — затвор зверху над графеном та підкладкою з протилежного боку від підкладки. Термінологія склалася в цей час в технології, пов'язаної з графеном для того, щоб відрізняти від затвора, яким служить високолегована підкладка з кремнію. Ситуація з назвами протилежна в графені та МДН-транзисторах, оскільки в останніх оберненого затвора просто немає.
Графен знаходиться на поверхні SiO2/Si, причому зверху нічим не обмежений. Тому для створення верхнього затвора спершу наносять діелектричний шар, а потім напилюють метал. В першій статті використовували як діелектрик SiO2.Lemme M. C. et. al. A Graphene Field-Effect Device IEEE Electron Dev. Lett. 28, 282 (2007) http://dx.doi.org/10.1109/LED.2007.891668 Вибір діелектрика може впливати на рухливість носіїв струму в графені завдяки зарядам або дефектам в його структурі. Серед інших матеріалів, використаних як діелектрик існують: PMMAHuard B. et. al. Transport Measurements Across a Tunable Potential Barrier in Graphene Phys. Rev. Lett. 98, 236803 (2007) , Al2O3Williams J. R. et. al. Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene Science 317, 638 (2007) , HfO2Ozyilmaz B. et. al. Electronic transport in locally gated graphene nanoconstrictions Appl. Phys. Lett. 91, 192107 (2007) .
В ідеальному випадку можна, звичайно, обійтися взагалі без діелектрика і використовувати підвішений верхній затвор, який не впливає на рухливістьGorbachev R. V. et. al. Conductance of p-n-p Graphene Structures with «Air-Bridge» Top Gates Nano Lett., 8, 1995 (2008) Fabrication of graphene p-n-p junctions with contactless top gates Appl. Phys. Lett. 92, 203103 (2008) .
Посилання