Дислока́ція — лінійний дефект кристалічної ґратки, зона пружного спотворення ґратки (зміщення атомів з положень рівноваги) навколо краю екстраплощини — додаткової площини у одній частині кристалу, яка не має продовження в іншу.
Загальний опис Дефект у кристалічних ґратках, що порушує регулярне чергування атомних (кристалографічних) площин, зосереджений у малій області в кристалі. Здатний пересуватися в кристалі внаслідок послідовного переміщення атома з положення, яке він займає, в сусіднє. Через те, що енергія активації такого процесу звичайно невелика, дислокації можуть переміщатись швидко. Переважно зустрічаються в твердих кристалах.
Розрізняють крайові й гвинтові дислокації, а також дислокації змішаного типу. На границях розділу матеріалів з різною кристалічною структурою можуть утворюватися дислокації невідповідності. В окремих випадках дислокації утворюють дислокаційні петлі.
Кожна дислокація характеризується вектором Бюргерса. Густину дислокацій у кристалі вимірюють на одиницю площі.
Рухом дислокацій пояснюється пластичність матеріалів. Дислокації також грають велику роль у процесі росту кристалів.
Дислокації в матеріалах напівпровідникової електроніки призводять до погіршення властивостей матеріалів, тому кристали намагаються виростити з якомога меншою густиною дислокацій. З іншого боку, дислокації покращують пластичність сталей, тож залізо кують, щоб збільшити густину дислокації у ньому.
Методи дослідження Якщо дислокація присутня, то ніякими штучними методами її не усунеш. Тому існують певні методи аналізу дислокації:
вибіркове травлення — якщо повторний механізм обробки та травлення не змінює положення в просторі ямок травлення, тоді цей дефект називається дислокацією; метод декорування — поверхня обробляється парою золота (або іншою фазою тієї речовини, щоб її було видно в скляному мікроскопі); метод фотопружності. Дислокації — пружні зміни в структурі кристала. Різні ділянки характеризуються різними структурними змінами, тому взаємодія випромінювання буде різна, реакція також; метод електронної мікроскопії — метод полягає в тому, що взаємодія рентгенівського випромінювання зі зміщеними та незміщеними атомами буде відбуватись по-різному.
Див. також
Дисклінація Тектонічна дислокація
Джерела
Глосарій термінів з хімії // Й. Опейда, О. Швайка. Ін-т фізико-органічної хімії та вуглехімії ім. Л. М. Литвиненка НАН України, Донецький національний університет. — Донецьк: Вебер, 2008. — 758 с. — ISBN 978-966-335-206-0 Defects in Crystals/ Prof. Dr. Helmut Föll website Chapter 5 contains a wealth of information on dislocations; DoITPoMS Online tutorial on dislocations, including movies of dislocations in bubble rafts; Scanning Tunneling Microscope — Gallery Image gallery, including a dislocations page, seen at the atomic level of metal surfaces, by the surface physics group at the Faculty of Physics, Vienna University of Technology, Austria.