Модель Гуммеля — Пуна - математична модель біполярного транзистора, запропонована Гуммелем () і Пуном () в 1970 році. До складу моделі входять ідеальні діоди, ідеальні керовані джерела струму, паразитні ємності, опори областей бази, еміттера і колектора.
Модель Гуммеля — Пуна та сучасні її варіанти широко використовуються в популярних програмах, як-от SPICE.
Позначення Опис Одиниця вимірювання Значення за промовчанням AF Показник степеня надлишкового низькочастотного шуму (флікер-шуму) - 1 BF Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з загальним емітером (β) в активному режимі роботи БТ при прямому включенні в тому випадку, коли допустимо знехтувати залежністю β від струму і напруги на колекторному переході - 100 BR β при інверсному включенні в тому випадку, коли допустимо знехтувати його залежністю від струму і напруги на емітерному переході - 1 CN Показник степеня в температурній залежності параметра RCO - 2,43 для n-p-n2,20 для p-n-p D Показник степеня в температурній залежності параметра VO - 0,52 для n-p-n0,87 для p-n-p CJE, CJC, CJS Бар'єрні ємності емітерного, колекторного переходу і переходу підкладки при відсутності зовнішньої напруги на p-n переході Ф 0 EG Ширина забороненої зони еВ 1,11 FC Коефіцієнт, що характеризує діапазон напруги, в якому визначена величина бар'єрної ємності прямозміщеного переходу - 0,5 GAMMA Коефіцієнт, що характеризує ступінь легування епітаксіальної плівки колектора - 10 ... 11 IKF Струм «зламу» залежності IC(VBE)для прямого включення А ∞ IKR Струм «зламу» залежності IE (VBC) для інверсного включення А ∞ IRB Базовий струм, при якому опір бази падає на півдорозі до мінімуму А ∞ IS Струм, що описує перенос неосновних носіїв заряду в базі А 1.00E-016 ISE (ISC) Зворотний струм насичення, обумовлений процесами генерації-рекомбінації в області просторового заряду емітерного (колекторного) p-n переходу А 0 ISS Зворотний струм насичення p-n переходу підкладки А 0 ITF Струм, що описує залежність часу прольоту через базу TF від струму колектора А 0 KF Коефіцієнт надлишкового низькочастотного шуму - 0 MJE, MJC Показник степеня в залежності бар'єрної ємності емітерного і колекторного переходу від зворотної напруги - 0,33 MJS Показник степеня в залежності бар'єрної ємності переходу підкладки від зворотної напруги - 0,5 NC Коефіцієнт неідеальності для ISC - 2,0 NE Коефіцієнт неідеальності для ISE - 1,5 NF Коефіцієнт неідеальності для прямого включення - 1,0 NK Показник степеня в залежності колекторного струму від струмів «зламу» (IKF, IKR) - 0,5 NR Коефіцієнт неідеальності для інверсного включення - 1,0 NS Коефіцієнт неідеальності для p-n переходу колектор-підкладка - 1,0 QCO Множник, що характеризує заряд в епітаксиальному шарі колектора Кл 0 QUASIMOD При QUASIMOD = 0 не враховуються, а при QUASIMOD = 1 - враховуються температурні залежності параметрів GAMMA, RCO, VO - 0 RB Опір бази (макс) при відсутності зовнішньої напруги на p-n переходах Ом 0 RBM Опір бази (мін) при максимальному базовому струмі Ом RB RC Опір напівпровідникової області колектора Ом 0 RCO Опір епітаксиального шару колектора при відсутності зовнішньої напруги на p-n переходах Ом 0 RE Опір напівпровідникової області емітера Ом 0 TF, TR Час прольоту неосновних носіїв заряду через квазінейтральну базу в активному режимі роботи при прямому і інверсному включенні с 0 TRB1 Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RB °C-1 0 TRB2 Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RB °C-2 0 TRC1 Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RC °C-1 0 TRC2 Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RC °C-2 0 TRE1 Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RE °C-1 0 TRE2 Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RE °C-2 0 TRM1 Коефіцієнт, що характеризує лінійну температурну залежність RBM °C-1 0 TRM2 Коефіцієнт, що характеризує квадратичну температурну залежність RBM °C-2 0 VAF, VAR Напруга Ерлі при прямому і інверсному включенні В ∞ VJE, VJC, VJS Контактна різниця потенціалів емітерного, колекторного і переходу підкладки В 0,75 VO Падіння напруги на епітаксиальному шарі колектора, при якому ефективна рухливість основних носіїв заряду зменшується в два рази в порівнянні із значенням в слабких електричних полях В 10,0 VTF Напруга, яке описує залежність часу прольоту через базу TF від напруги на колекторному переході В ∞ XCJC Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-база - 1,0 XCJC2 Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-база - 1,0 XCJS Коефіцієнт «розщеплення» ємності колектор-підкладка - 1,0 XTB Температурний коефіцієнт параметрів BF і BR °C-1 0 XTF Коефіцієнт, що визначає залежність часу прольоту через базу TF від величини зміщення (IE, VBC) - 0 XTI Температурний коефіцієнт параметра IS °C-1 3,0
Див. також Модель Еберса — Молла
Посилання An Integral Charge Control Model of Bipolar Transistors