Odwrócony typ I Dla nanokryształów charakteryzujących się położeniem pasm określanym jako odwrócony typu I, przerwa energetyczna rdzenia jest większa niż powłoki, odpowiadające mu pasmo walencyjne leży powyżej, a pasmo przewodnictwa poniżej odpowiednich pasm otoczki. Prowadzi to do pułapkowania nośników ładunku tworzących się w rdzeniu przez odpowiednie pasma otoczki. Wynikiem tego jest batochromowe przesunięcie maksimum emisji, a wielkość tego przesunięcia kontrolowana jest przez grubość otoczki. Przykładami takich układów są CdS/HgS, CdS/CdSe i ZnSe/CdSe.
Typ II Wyróżnia się dwa warianty nanokryształów rdzeń/otoczka typu II. Dla obu wielkość przerwy energetycznej rdzenia jest mniejsza niż otoczki, natomiast układy różnią się położeniem pasm walencyjnego i przewodnictwa. W pierwszej grupie pasmo walencyjne i pasmo przewodzenia półprzewodnika otoczki znajduje się poniżej odpowiednich pasm rdzenia. W drugiej grupie pasma otoczki znajdują się powyżej pasm rdzenia. Takie różnice w położeniu powodują wyłapywanie nośników jednego typu przez otoczkę. Obecność otoczki zapewnia wysokie wartości wydajności kwantowej luminescencji, natomiast wzrost grubości powoduje batochromowe przesunięcie piku emisji.