za pomocą litografii elektronowej lokalizacje naprężeniowe – powstają w wyniku pojawienia się naprężeń w związku z nakładaniem materiałów prowadzących do powstania naprężenia, a w związku z tym występuje lokalna zmiana struktury energetycznej fluktuacje szerokości studni kwantowej – nierówności interfejsu studni kwantowej powodują zmianę potencjału lokalizującego, możliwe jest uwięzienie ekscytonu fluktuacje składu cienkiej studni kwantowej – w cienkich studniach kwantowych, w pewnych warunkach wzrostu, może dojść do fluktuacji gęstości składnika studni kwantowej, np. indu w studni InAs bariery z GaAs, w związku z tym pojawiają się obszary o większej gęstości występowania indu oraz o mniejszej, co prowadzi do lokalizacji nośników.
Bibliografia Few-electron Quantum Dots, L.P. Kouwenhoven, D.G. Austing, S. Tarucha, Reports on Progress in Physics 64 (6), 701-736 (2001). Quantum Dots, L.P. Kouwenhoven and C.M. Marcus, Physics World 11 p. 35-39 (1998). Piotr Trocha and Jozef Barnas Kondo-Dicke resonances in electronic transport through triple quantum dots, Phys. Rev. B 78, 075424 (2008).
Kategoria:Fizyka materii skondensowanej Kategoria:Mechanika kwantowa Kategoria:Nanotechnologia