Niską temperaturę procesu osadzania warstw uzyskuje się dzięki wzbudzeniu za pomocą plazmy cząsteczek mieszaniny gazowej do energii zgodnej ze wzbudzeniem termicznym. Wówczas nierównowagowa reakcja, w wyniku której osadza się żądany produkt, może wystąpić w temperaturze o wiele niższej niż CVD. Metoda PECVD może być wykorzystana do wytwarzania cienkich warstw katalitycznych.
Plazma generowana jest w polu elektrycznym między dwiema równoległymi płytkami, z których jedna jest katodą, a druga, na której znajdują się podłoża, jest uziemiona. W procesie PACVD stan plazmy można podtrzymywać dwoma sposobami: stałoprądowym lub zmiennym (o częstotliwości radiowej) wyładowaniem jarzeniowym.
Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych Epitaksja z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych (MOVPE, z ) ma najszersze zastosowanie w elektronice do osadzania warstw półprzewodnikowych. Cechą charakterystyczną tej techniki jest to, że prekursorami są tutaj związki metaloorganiczne, na przykład kompleksy alkilowe zawierające grupy metylowe i etylowe oraz wodorki pierwiastków grupy 13, które rozkładają się we stosunkowo niskich temperaturach (poniżej 800 °C). W taki sposób otrzymane warstwy są bardzo cienkie i zwykle epitaksjalne.