Stosując tę metodę, uzyskuje się rozdzielczość rzędu długości fali świetlnej (500 nm).
W drugiej metodzie maska utrzymywana jest w niewielkim oddaleniu od podłoża, co eliminuje wady pierwszej metody, konieczne jest jednak ustawienie maski równolegle do naświetlanej płytki, poza tym spada znacznie (ze względu na załamanie światła na krawędziach maski) rozdzielczość naświetlanego wzoru (kilka μm). Przewagą ostatniej metody jest możliwość rzutowania wzoru przez układ skupiający, a co za tym idzie pomniejszenie odwzorowywanych elementów. W zależności od apertury numerycznej używanego układu optycznego można uzyskać (stosując światło ultrafioletowe) rozdzielczość nawet 100 nm. Ceną tak wysokiej rozdzielczości jest jednak utrata głębi ostrości i brak zogniskowania wiązki na całej grubości fotorezystu, co skutkuje rozmyciem konturów pionowych naświetlanych elementów.