Zapis następuje po wyzerowaniu w czasie odczytu. Polega na namagnesowaniu rdzeni odpowiadających 1 w przeciwnym kierunku do namagnesowania w czasie odczytu.
W podstawowej organizacji cykl pracy zawsze składa się z odczytu i następującego bezpośrednio po nim zapisu. W pamięciach z dzielonym cyklem po odczycie pamięć może czekać z zapisem na nową wartość z procesora czytając i zapisując w międzyczasie inne komórki.
Do wyboru rdzenia wykorzystuje się koincydencje dzieląc prąd sterujący na kilka przewodów. Prądy w przewodach dobiera się tak aby przemagnesowaniu uległy tylko wybrane rdzenie. Pozwala to sterować dużą ilością rdzeni za pomocą małej ilości przewodów i elementów elektronicznych.
Występowała w wersjach 3D – koincydencyjnej (duża pojemność, prosta elektronika, skomplikowane płaty, wolna) 3D3W – trzyprzewodowa (pamięć koincydencyjna o organizacji 3D wykorzystująca do odczytu przewód zakazu) H – hybrydowej (pamięć o organizacji 3D wykonana w postaci płaskiej) 2D – liniowej (mała pojemność, proste płaty, skomplikowana elektronika, szybka) 2,5D – koincydencyjno-liniowej (rozwinięcie pamięci 2D o długim słowie, zawierające dodatkowe elementy selekcji bitów w słowie).