Rdzeń posiada dwa stabilne stany namagnesowania Br i -Br (dodatni i ujemny), oznaczające 1 i 0.
Stan rdzenia zmieniany jest impulsami w przewodach sterujących (uzwojeniach pierwotnych): ujemny impuls odczytujący zeruje komórkę, dodatni impuls zapisujący 1.
Prąd sterujący I wytwarza natężenie pola magnetycznego proporcjonalne do swojej wartości, a napięcie wyjściowe Ul jest proporcjonalne do szybkości zmian indukcji magnetycznej.
thumb|380px|Odczyt: z lewej silny sygnał od przemagnesowania rdzenia zawierającego "1", z prawej słaby sygnał od braku przemagnesowania rdzenia zawierającego "0" Indukcja B związana jest z natężeniem pola H pętlą histerezy i zależy od początkowego namagnesowania rdzenia.
Przy odczycie, komórka zawierająca 1 jest zerowana. Przemagnesowaniu rdzenia zawierającego 1 towarzyszy duża zmiana indukcji magnetycznej od Br do -Br, indukująca napięcie w przewodzie sygnałowym. Przy braku przemagnesowania rdzenia zawierającego 0 indukowane jest jedynie niewielkie zakłócenie. W szybkich pamięciach sygnał zakłócający posiada podobną wartość jak użyteczny od przemagnesowanego rdzenia ale towarzyszy przedniemu zboczu prądu odczytu, a sygnał od przemagnesowania jest opóźniony.