va ser un enginyer elèctric i físic austrohongarès i més tard estatunidenc (on es va traslladar el 1921) a qui se li atribueix la primera patent del transistor d'efecte camp el 1925. Mai no va ser capaç de construir un dispositiu semiconductor pràctic i funcional basat en el seu concepte. A més, com que no va publicar articles en revistes acadèmiques i com que no tenia materials semiconductors d'alta puresa disponibles, la seva patent FET mai no va assolir fama, fet que va causar confusió als inventors posteriors.
Biografia Lilienfeld va néixer en una família jueva a Lemberg (actualment Lviv), a la part austríaca de l'Imperi Austrohongarès. El pare de Lilienfeld era l'advocat Sigmund Lilienfeld, la seva mare Sarah Jampoler Lilienfeld.
Educació Després de graduar-se a l'institut el 1899, entre el 1900 i el 1904, Lilienfeld va estudiar a la Friedrich-Wilhelms-Universität (rebatejada com a Universitat Humboldt el 1949), a Berlín, on va obtenir el doctorat el 18 de febrer de 1905. El 1905, va començar a treballar a l'institut de física de la Universitat de Leipzig com a professor titular.
Carrera professional Durant els primers anys de la seva carrera professional, Lilienfeld, a la Universitat de Leipzig, va dur a terme importants treballs sobre descàrregues elèctriques en " buit ", entre elèctrodes metàl·lics, des de 1910 aproximadament. La seva primera passió va ser aclarir com canviava aquest fenomen a mesura que milloraven les tècniques de preparació al buit. Més que qualsevol altre científic, va ser el responsable de la identificació de l'emissió d'electrons de camp com un efecte físic separat. (Ho va anomenar "emissió autoelectrònica" i hi estava interessat com a possible font d'electrons per a tubs de raigs X miniaturitzats, en aplicacions mèdiques.) Lilienfeld va ser responsable del primer relat fiable en anglès de la fenomenologia experimental de l'emissió d'electrons de camp, el 1922. L'efecte va ser explicat per Fowler i Nordheim el 1928.
Lilienfeld es va traslladar als Estats Units el 1921 per perseguir les seves reclamacions de patents, i va renunciar a la seva càtedra a Leipzig per quedar-s'hi permanentment el 1926. El 1928, va començar a treballar a Amrad a Malden, Massachusetts, més tard anomenat Ergon Research Laboratories, propietat de Magnavox, que va tancar el 1935.
Als Estats Units, Lilienfeld va investigar sobre pel·lícules d'òxid d'alumini anòdiques, patentant el condensador electrolític el 1931, mètode que es va continuar utilitzant durant tot el segle. També va inventar un transistor "semblant a un FET ", presentant diverses patents que descrivien la construcció i el funcionament dels transistors, així com moltes característiques dels transistors moderns. (La patent nord-americana núm. 1.745.175 Method and apparatus for controlling electric currents per a un transistor tipus FET es va concedir el 28 de gener de 1930.) Quan Brattain, Bardeen i el seu col·lega, el químic Robert Gibney, van intentar obtenir patents per als seus primers dispositius, la majoria de les seves reclamacions van ser rebutjades a causa de les patents de Lilienfeld.
La radiació òptica emesa quan els electrons colpegen una superfície metàl·lica s'anomena " radiació de Lilienfeld " després que la descobrís a prop dels ànodes dels tubs de raigs X. El seu origen s'atribueix a l'excitació de plasmons a la superfície metàl·lica.
L' American Physical Society ha nomenat Lilienfeld un dels seus principals premis.
Vida personal Lilienfeld era un jueu asquenazita de parla alemanya que era ciutadà d'Àustria-Hongria i que més tard va tenir doble nacionalitat als Estats Units i a Polònia. Es va casar amb una estatunidenca, Beatrice Ginsburg, a la ciutat de Nova York el 2 de maig de 1926. Van viure a Winchester, Massachusetts, on Lilienfeld era directora dels Ergon Research Laboratories a Malden, i es va convertir en ciutadana dels Estats Units el 1934. Després del seu tancament el 1935, ell i la seva dona van construir una casa a St. Thomas, a les Illes Verges Nord-americanes, amb l'esperança d'escapar d'una al·lèrgia associada als camps de blat, de la qual Lilienfeld havia patit durant la major part de la seva vida. Lilienfeld viatjava sovint entre St. Thomas i diverses ubicacions del continent i continuava provant noves idees i patentant els productes resultants.
Patents US 1122011 "Procés i aparell per produir raigs Roentgen" presentada el 02-10-1912, que descriu un tub de raigs X que produïa raigs X a partir d'electrons emesos per un filament calent US 1218423 "Tub de raigs Roentgen" presentada el 17-04-1914, que descriu un refinament del seu tub de raigs X anterior que produïa raigs X a partir d'electrons emesos per un filament calent US 1745175 "Mètode i aparell per controlar el corrent elèctric" presentada per primera vegada al Canadà el 22-10-1925, que descriu un transistor d'efecte de camp US 1900018 "Dispositiu per controlar el corrent elèctric" presentada el 28-03-1928, un transistor d'efecte de camp de pel·lícula fina US 1877140 "Amplificador per a corrents elèctrics" presentada el 08-12-1928, dispositiu d'estat sòlid on el flux de corrent està controlat per un metall porós capa, una versió d'estat sòlid del tub de buit US 2013564 "Condensador electrolític" presentat el 29-08-1931, que descriu un condensador electrolític
Referències
Bibliografia Christian Kleint, Julius Edgar Lilienfeld: Vida i professió. A: Progress in Surface Science, volum 57, número 4, abril de 1998, pàgines 253–327. Chih-Tang Sah, Evolució del transistor MOS — De la concepció a VLSI. A: Actes de l'IEEE, vol. 76, núm. 10, octubre de 1988, pàgines 1280-1326.
Enllaços externs About.com, text breu sobre Lilienfeld Biografia de Lilienfeld
Categoria:Alumnes de la Universitat Humboldt de Berlín Categoria:Professors de la Universitat de Leipzig Categoria:Enginyers elèctrics estatunidencs Categoria:Persones de Lviv Categoria:Enginyers europeus Categoria:Nascuts el 1882