Фотопластический эффект — явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт Ю. А. Осипьяном и И. Б. Савченко в 1968 годуКонюшая Ю. П. Открытия советских учёных. — М.: «Московский рабочий», 1979. — 410 с.Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М. и др. «Памяти Юрия Андреевича Осипьяна » // УФН. — 2008. — № 178. — С. 1239—1240.Вавилов В. С. «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений » // УФН. — 1994. — № 164. — С. 287—296.. Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.
Примечания
Литература Физика соединений A2B6. Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. — М.: «Наука», 1986. — 320 с.
Категория:Физические эффекты и явления Категория:Физика твёрдого тела Категория:Физика полупроводников