Gdy namagnesowanie tworzy kąt ξ z gęstością prądu (rys. 2), to opór właściwy można wyznaczyć z zależności:
thumb|300px|Rysunek 4: Cienka warstwa ferromagnetyczna jako magnetorezystor o długości l, szerokości w i grubości t (l >> w >>t). Kierunkiem przepływu prądu J jest zgodny z kierunkiem osi łatwej leżącej w płaszczyźnie warstwy. Pole magnetyczne przyłożone jest wzdłuż osi trudnej Przedstawione powyżej wzory określają zależność oporu właściwego ferromagnetyka w funkcji kąta ξ. Z wielu względów, a w szczególności z punktu widzenia wykorzystania efektu AMR, ważniejsze jest określenie zależności oporu od natężenia pola magnetycznego ρ(H). W tym celu niezbędne jest wyznaczenie położenia wektora namagnesowania względem kierunku prądu (lub innego wybranego kierunku odniesienia). W próbce nie wykazującej żadnej anizotropii w obecności pola magnetycznego kierunek momentu magnetycznego będzie zawsze równoległy do wektora natężenia pola magnetycznego H. Mimo że możliwe jest wykonanie warstw nie wykazujących anizotropii w płaszczyźnie, to jednak zastosowanie warstw anizotropowych w sensorach AMR stwarza większe możliwości uzyskania optymalnych (dla konkretnych zastosowań) zależności oporu od natężenia pola magnetycznego R(H). Dlatego dalej omówiony zostanie jedynie efekt AMR w warstwach (permaloju (Ni80Fe20), tj.