W dniu 19 stycznia 2016 r. Samsung ogłosił możliwość rozpoczęcia masowej produkcji HBM2, o pojemności do 4 GB na jeden stos.Również SK Hynix ogłosił, w sierpniu 2016 r., dostępność stosów o pojemności 4 GB.
HBM 3 Trzecia generacja pamięci o wysokiej przepustowości, HBM 3, została ogłoszona w 2016 roku. Oczekuje się, że HBM3 zaoferuje większą pojemność pamięci, większą przepustowość, niższe napięcie i niższe koszty. Zwiększone parametry będą pochodzić z większej gęstości matrycy i większej liczby ich stosów na chip. Spodziewana przepustowość ma wynieść 512 GB/s lub więcej. Nie ogłoszono daty premiery, chociaż Samsung spodziewa się rozpoczęcia produkcji seryjnej do 2020 roku.
Historia Rozwój pamięci o wysokiej przepustowości rozpoczął się w AMD w 2008 roku, miał on na celu rozwiązanie problemu coraz większego zużycia energii oraz zmniejszenie współczynnika kształtu pamięci komputera. AMD opracował, w zespole kierowanym przez Bryana Blacka, między innymi procedury rozwiązywania problemów z układaniem kości pamięci. Partnerzy z branży pamięci (SK Hynix), interposerów (UMC) i branży opakowań (Amkor Technology i ASE) uzyskali pomoc w realizacji ich wizji HBM.