Indij-fosfid (InP) je binarni poluvodič koji se sastoji se od po jednog atoma indija i fosfora. Ima prednju centriranu kubnu kristalnu strukturu. Kristalna struktura je istovjetna onoj za galij arsenid (GaAs), a i većine III-V poluvodiča.
Proizvodnja thumb|left|Indij-osfidna nanokristalna površina dobijena elektrokemijskim nagrizanjem i promatrana pod skenirajućim elektronskim mikroskopom.(Vještački obojena) Indij-fosfid se može dobiti u reakciji bijelog fosfora i indij-jodida na 400 °C.,Indium Phosphide at HSDB a također i direktnom kombinacijom prečišćenih elemenata, pri visokim temperaturama i pritiscima ili toplotnom razgradnjom mješavine trialkil indij spoja i fosfina.InP manufacture
Upotreba InP se koristi u visokosnažnoj i visokofrekventnoj elektronici, zbog svoje superiorne brzine elektrona u odnosu na uobičajene poluvodiče silicija i galij arsenida. Korišten je s indij galij arsenidom da bi se napravio rekordni pseudomorfni cijni bipolarni tranzistor koji bi mogao djelovati na 604 GHz.Indium Phosphide and Indium Gallium Arsenide Help Break 600 Gigahertz Speed Barrier. 2005 Također ima direktni prekid trake, što je korisno za optoelektroniku uređaje kao što su laserske diode.
InP se također koristi kao supstrat za epitaksijskii indij galij arsenid u uređajima koji počivaju na opto-elektronici. Hemija Indij fosfid ima jedan od najdugovječnijih optičkih fotona bilo kojeg spoja s cink blendnom kristalnom strukturom Također pogledajte Indij Fosfin Reference
Vanjski linkovi Extensive site on the physical properties of indium phosphide (Ioffe institute) Band structure and carrier concentration of InP. InP conference series at IEEE Indium Phosphide: Transcending frequency and integration limits. Semiconductor TODAY Compounds&AdvancedSilicon • Vol. 1 • Issue 3 • September 2006
Kategorija:Fosfidi Kategorija:Neorganski spojevi fosfora Kategorija:Optoelektronika Kategorija:Poluprovodnici III-V Kategorija:Spojevi III-V Kategorija:Karcinogene grupe 2A po IARC Kategorija:Spojevi indija